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三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜及其制备方法和应用技术

技术编号:9357784 阅读:278 留言:0更新日期:2013-11-21 01:11
本发明专利技术公开了一种三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜及其制备方法和应用,包括:将可溶性铁盐、硫酸钠和水混合,得到前驱体溶液;将洁净的基底放入反应釜中,并将前驱体溶液加入到反应釜中,于110~160℃反应4~24h,再于400~500℃热处理1~5h,得到生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底;将硫酸镍、过二硫酸钾、氨以及水混合,将生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底放入氧化镍反应液中反应,反应后于300~400℃热处理1~3h即得。本发明专利技术方法制造成本较低,易于实现工业化,薄膜具有在基底上生长的核壳纳米棒阵列形貌,制备的锂离子电池负极具有高的放电容量、稳定的循环性能和优异的倍率性能等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将可溶性铁盐、硫酸钠和水混合,得到前驱体溶液;2)将洁净的基底放入反应釜中,并将步骤1)中的前驱体溶液加入到反应釜中,于110℃~160℃反应4h~24h,再在保护气体的保护下于400℃~500℃热处理1h~5h,得到生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底;3)将硫酸镍、过二硫酸钾、氨以及水混合,得到氧化镍反应液,将步骤2)中的生长有三氧化二铁纳米棒阵列的基底放入氧化镍反应液中反应,反应后在保护气体的保护下于300℃~400℃热处理1h~3h,得到三氧化二铁/氧化镍核壳纳米棒阵列薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:熊琴琴涂江平王秀丽谷长栋夏新辉
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:

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