【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备多孔性前趋层及吸收层薄膜平坦化的方法，其特征为：首先将Cu、Ga材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼，然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中，待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用CuGa靶材备用；另外将In材料放入真空感应熔炼炉中进行熔炼，然后浇铸在三寸的低碳钢的模具中，待降温12小时候脱膜取出靶材胚体经机加工成三寸溅镀用In靶材备用；然后以无碱玻璃为基板，接着把所需镀着玻璃基材、CuGa靶材、In靶材放入溅镀腔体中，先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜，然后溅镀第二层1000nm厚的CIG吸收层前趋物薄膜，接着将镀制好薄膜放在硒化炉中进行后硒化，然后取出试片，即得。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄信二，
申请(专利权)人：研创应用材料赣州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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