【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
太阳能电池表面结构的RIE腐蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将要刻蚀的硅片置于功率电极上；步骤二：关闭反应室，充入反应所需的气体；步骤三：设置反应参数，射频功率、反应气体压强和反应时间；步骤四：运行设备开始腐蚀工艺；步骤五：结束腐蚀工艺，取出腐蚀后的硅片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪昭辉，郭文林，张盛杰，杨健，吴宇，庞益静，
申请(专利权)人：江苏宇兆能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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