一种制备铜铟碲薄膜的方法技术

一种制备铜铟碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明专利技术通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、TeO2放入溶剂中，并调整pH值，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，得到铜铟碲光电薄膜。本发明专利技术不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备铜铟碲薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：?a.玻璃基片的清洗；?b将0.8～1.5份CuCl2·2H2O、1.4～2.6份InCl3·4H2O和1.5～2.8份TeO2放入30～150份的溶剂中均匀混合；?c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；?d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有1.791份水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触；将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出；?e.将步骤d所得产物，进行干燥，得到铜铟碲薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科高，张力，李静，石磊，许斌，
申请(专利权)人：山东建筑大学，
类型：发明
国别省市：