包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法。本发明专利技术的电性连接结构的制备方法包括步骤：A、提供一第一基板；B、在第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将第一基板与一第二基板连接，第二基板具有一第二电性垫，第二电性垫包括第二纳米双晶铜层，且焊料配置于第一及第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使焊料部分转换为一介金属化合物(intermetallic?compound，IMC)层，且介金属化合物层包括在优选方向(preferred?orientation)生长的Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括双晶铜晶粒。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构的制备方法，包括步骤：A、提供一第一基板；B、在该第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将该第一基板与一第二基板连接，该第二基板具有一第二电性垫，该第二电性垫包括一第二纳米双晶铜层，且该焊料配置于该第一纳米双晶铜层与该第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使该焊料至少部分转换为一介金属化合物(intermetallic?compound，IMC)层，且该介金属化合物层包括在优选方向(orientational)生长的多个Cu6Sn5晶粒；其中，该第一纳米双晶铜层及该第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括多个双晶铜晶粒。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈智，林汉文，
申请(专利权)人：财团法人交大思源基金会，
类型：发明
国别省市：