半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种感测放大器电路，所述感测放大器电路包括：使能信号发生单元，所述使能信号发生单元被配置成当感测到输入信号的电压电平变化时产生使能信号；吸收单元，所述吸收单元被配置成响应于使能信号而提供感测电压；以及感测单元，所述感测单元被配置成响应于感测电压和输入信号而产生输出信号。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2012年5月7日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0048125的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术总体而言涉及半导体器件、感测放大器电路和使用感测放大器电路的半导体器件。
技术介绍
半导体器件以低功率来驱动，且因而被配置成包括用于感测电压电平差并且用于将电压电平差转换成数字电平的感测放大器电路。常规的感测放大器电路可以感测输入信号的电压电平之间的差。根据感测的结果具有较高电压电平的输入信号被放大为高电平并且输出，而根据感测的结果具有较低电压电平的输入信号被放大为低电平并且输出。利用另一种方法的感测放大器电路将具有较低电压电平的输入信号放大成低电平的信号，使得具有较低电压电平的输入信号与具有较高电压电平的输入信号清楚地区分开。图1是说明已知的感测放大器电路的结构的示图。参见图1，感测放大器电路10分别包括第一至第五晶体管N1、N2、N3、N4以及N5。感测放大器电路10的左侧与输入端子相对应，而感测放大器电路10的右侧与输出端子相对应。当信号从输入端子传送到输出端子时，第一晶体管N1响应于感测控制信号EN而导通，因而供应接地电压VSS。当将信号从输入端子传送到输出端子时，第二晶体管N2和第三晶体管N3的导通程度根据输入信号IN和INB的电平而变化。因此，第一至第三晶体管N1、N2以及N3通过放大输入信号IN和INB而分别可以产生输出信号OUT和OUTB。第四晶体管N4和第五晶体管N5当信号从输入端子传送到输出端子时关断，但是当信号从输出端子传送到输入端子时响应于控制信号WE而导通。当第四晶体管N4和第五晶体管N5导通时，它们将输入端子和输出端子耦接。当信号从输入端子传送到输出端子时感测放大器电路10的操作如下。当输入信号IN具有比输入信号INB高的电平时，第二晶体管N2的导通程度比第三晶体管N3的导通程度大。因此，输出端子OUTB下降到接地电压(VSS)电平比输出端子OUT快。当输出信号OUTB达到接地电压(VSS)电平时，输入信号IN和INB的电压电平差被放大，且因而可以经由输出端子将放大的输出信号OUT和OUTB输出。在要导通供应接地电压VSS的第一晶体管N1的感测控制信号EN被使能时，感测放大器电路10开始感测放大操作。因此，感测控制信号EN被使能的时间点与感测放大器电路10的准确操作密切相关。例如，如果在正常的时间点处不施加输入信号IN和INB，则输入信号OUT和OUTB的电平可能是反向的，或者产生输出信号OUT和OUTB的时间点可能会延迟。此外，即使在大体分别执行感测操作的第二晶体管N2与第三晶体管N3之间发生失配时，则也可能不会正常地产生输出信号OUT和OUTB。
技术实现思路
本文描述了通过精确地感测并放大输入信号来稳定地产生输出信号的感测放大器电路，以及使用感测放大器电路的半导体器件。在一个实施例中，一种感测放大器电路包括：使能信号发生单元，所述使能信号发生单元被配置成当感测到输入信号的电压电平变化时产生使能信号；吸收单元，所述吸收单元被配置成响应于使能信号而提供感测电压；以及感测单元，所述感测单元被配置成响应于感测电压和输入信号而产生输出信号。在一个实施例中，一种感测放大器电路包括：使能信号发生单元，所述使能信号发生单元被配置成响应于输入信号而从感测控制信号产生使能信号；吸收单元，所述吸收单元被配置成响应于使能信号而供应感测电压；以及感测单元，所述感测单元被配置成响应于感测电压和输入信号而产生输出信号。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一数据I/O线，所述第一数据I/O线被配置成传送输入信号；感测放大器单元，所述感测放大器单元被配置成在感测到输入信号的电压电平变化时被使能，并且被配置成通过放大输入信号而产生输出信号；以及第二数据I/O线，所述第二数据I/O线被配置成传送输出信号。在一个实施例中，一种半导体器件包括：位线感测放大器，所述位线感测放大器被配置成将存储器单元的数据放大；列开关，所述列开关被配置成响应于列选择信号而将放大的数据传送到第一数据I/O线；以及感测放大器单元，所述感测放大器单元被配置成当通过传送的数据来改变第一数据I/O线的电压电平时而被使能，并且被配置成当感测放大器单元被使能时通过放大传送的数据而产生输出信号，并将输出信号输出到第二数据I/O线。附图说明结合附图描述本专利技术的特点、方面和实施例，其中：图1是说明已知的感测放大器电路的结构的示图；图2是说明根据一个实施例的感测放大器电路的结构的示图；图3是说明根据一个实施例的半导体器件的结构的示图；图4是说明在图3的半导体器件执行读取操作时的操作时序的示图；图5是说明在现有技术中可能会发生的异常放大操作的时序图；以及图6是说明根据一个实施例的感测放大器电路的改进的操作的时序图。具体实施方式在下文中，将参照附图来描述根据不同实施例的感测放大器电路以及使用感测放大器电路的半导体器件。图2是说明根据一个实施例的感测放大器电路的结构的示图。根据一个实施例的感测放大器电路1可以响应于接收的输入信号IN和INB而被使能。感测放大器电路1可以感测输入信号IN和INB的电平的变化，并且可以根据感测的结果执行感测放大操作。参见图2，感测放大器电路1可以包括使能信号发生单元110、吸收单元130以及感测单元150。使能信号发生单元110可以接收输入信号IN和INB，可以感测输入信号IN和INB的电平变化，以及可以根据感测的结果来产生使能信号SEN。使能信号发生单元110可以接收感测控制信号EN。当感测到输入信号IN和INB的电平变化时，使能信号发生单元110可以供应感测控制信号EN作为使能信号SEN。例如，当输入信号IN和INB从高电平变换成低电平时，使能信号发生单元110可以从感测控制信号EN产生使能信号SEN。可以使用感测控制信号EN来操作感测放大器电路1。如果尽管接收到感测控制信号EN而未感测到输入信号IN和INB的电平变化，则使能信号发生单元110不产生使能信号SEN。因此，尽管接收到感测控制信号EN，感测放大器电路1也不开始感测放大操作。当感测到输入信号IN和INB的电平变化时，感测放大器电路1可以开始感测放大操作。如图2所示，输入信号IN和INB可以是信号对。可以用差分信号来供应输入信号对IN和INB。可以将输入信号IN和INB预充电到第一电平，然后可以改变输入信号IN和INB的电平。例如，当将第一电平的信号供应到感测放大器电路1时，输入信号IN可以保持第一电平，而输入信号INB可以变换成第二电平。相反地，当将第二电平的信号供应到感测放大器电路1时，输入信号IN可以变换成第二电平，而输入信号INB可以保持第一电平。在具体描述中，第二电平指的是与第一电平相反的电压逻辑电平。例如，第一电平可以是高电压逻辑电平，而第二电平可以是低电压逻辑电平。使能信号发生单元110可以感测低电平的信号，并且从感测控制信号EN产生使能信号SEN。吸收单元130可以响应于使能信号SEN而供应感测电压。吸收单元130可以在使能信号SEN被使能时供应感测电压，但是在使能信号SEN被禁止时而不供应感测电压。在一个实施例中，将感测电压示为接地电压VSS。感测单元150可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感测放大器电路，包括：使能信号发生单元，所述使能信号发生单元被配置成当感测到输入信号的电压电平变化时产生使能信号；吸收单元，所述吸收单元被配置成响应于所述使能信号而提供感测电压；以及感测单元，所述感测单元被配置成响应于所述感测电压和所述输入信号而产生输出信号。

【技术特征摘要】
2012.05.07 KR 10-2012-00481251.一种半导体器件，包括：位线感测放大器，所述位线感测放大器被配置成将存储器单元的数据放大；列开关，所述列开关被配置成响应于列选择信号而将放大的数据传送到第一数据I/O线；以及感测放大器单元，所述感测放大器单元被配置成响应于使能信号通过将传送的数据放大而产生输出信号，并将所述输出信号输出到第二数据I/O线，其中，所述感测放大器单元包括：使能信号发生单元，所述使能信号发生单元被配置成感测所述传送的数据的电压电平变化，并且根据感测的结果从感测控制信号产生使能信号；吸收单元，所述吸收单元被配置成响应于所述使能信号而供应感测电压；感测单元，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亨洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：