【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电流感测放大器,尤其涉及用于检测通过调压器的高侧开关晶体管和低侧开关晶体管的电流的电流感测放大器。
技术介绍
集成有峰电流模式的降压FET调节器(buck FET regulator)响应于输入电压提供经调节的输出电压。降压调节器具有约150纳秒的最小导通时间限制。这ー导通时间限制取决于在降压调节器内使用的电流感测方案。降压调节器内的最小导通时间限制随通过降压调节器的低电流增大而増大。因此,需要提供一种减小降压调节器的最小导通时间的电流感测方案,这会极大地改进降压调节器的操作。
技术实现思路
如本文所公开和描述的,在ー个方面,本专利技术包括电流感测放大器,它包括高侧电流感测放大器电路和低侧电流感测放大器电路。高侧电流感测放大器电路感测通过调压器高侧开关晶体管的第一电流,并响应于此提供电流传感器输出。低侧电流感测放大器感测通过调压器低侧开关晶体管的第二电流。附图说明为了更全面地理解,现參照以下结合附图进行的描述,在附图中图I是具有电流感测放大器的降压调节器的框图;图2示出用于降压调节器的电流感测放大器实施例的框图。图3示出与图2的电路操作相关联的波形。图4是包括包含本文所述电路的电子/电气电路/设备的电子/电气系统的框图。具体实施例方式现在參考附图,其中在本文中通篇使用类似的附图标记来指代类似的元素,示出和描述了电流感测放大器的各种视图和实施例,并且还描述了其它可能的实施例。这些附图不一定是按比例绘制的,而且仅为说明目的,在某些实例中有几处已将附图放大和/或简化。本领域普通技术人员可以基于以下可能实施例的示例意识到许多可能的应用和变型。集成有峰电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.11 US 61/451,704;2011.10.18 US 13/275,7611.ー种装置,包括 调压器,用于响应于输入电压和驱动控制信号生成经调节的输出电压,所述调压器包括闻侧开关晶体管和低侧开关晶体管; 驱动器电路,用于响应于PWM控制信号生成驱动控制信号; PWM控制器,用于响应于误差电压和斜坡电压生成PWM控制信号; 误差放大器,用于响应于參考电压、所述经调节的输出电压和电流感测电压信号生成误差电压; 低侧电流感测放大器,用于当所述低侧开关晶体管接通且所述高侧开关晶体管关断时,在第一操作模式中感测通过所述低侧开关晶体管的第一电流并且响应于此生成第一电流感测信号;以及 高侧电流感测放大器,用于在所述第一操作模式中响应于所述第一电流感测信号提供电流感测电压信号,并且当所述高侧开关晶体管接通且低侧开关晶体管关断时,在第二操作模式中感测通过所述高侧开关晶体管的第二电流并响应于此提供电流感测电压信号。2.如权利要求I所述的装置,其特征在于,还包括多个开关,用于在第二操作模式中连接所述高侧电流感测放大器以监视通过所述高侧开关晶体管的所述第二电流,并且用于在第一操作模式中连接所述高侧电流感测放大器和所述低侧电流感测放大器以监视通过所述低侧开关晶体管的所述第一电流。3.如权利要求I所述的装置,其特征在于,所述高侧电流感测放大器还包括 第一晶体管; 第一误差放大器,用于在第二操作模式中使跨所述第一晶体管的第一电压等于跨所述高侧开关晶体管的第二电压加上偏移电压;以及 电压源,用于生成偏移电压。4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,通过所述高侧开关晶体管的所述第一电流被反射到所述高侧电流感测放大器的所述第一晶体管。5.如权利要求4所述的装置,其特征在干,电流感测输出响应于通过所述第一晶体管的所反射电流而生成。6.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述低侧电流感测放大器还包括 第二晶体管; 第三晶体管; 第二放大器,用于使跨所述第二晶体管的第三电压等于跨所述低侧开关晶体管的第四电压加上第二偏移电压并生成通过所述第三晶体管的第一电流,其中在第一操作模式中所述第二放大器还反射通过所述第三晶体管的第一电流以等于通过所述第一晶体管的第二电流。7.如权利要求6所述的装置,其特征在干,电流感测输出响应于通过所述第一晶体管的所反射电流而生成。8.ー种电流感测放大器,包括 高侧电流感测放大器,用于提供用于调压器的电流感测电压信号,当所述调压器的高侧开关晶体管接通且所述调压器的低侧开关晶体管关断时,所述高侧电流感测放大器在第一操作模式中响应于通过所述高侧开关晶体管所感测的第一电流生成所述电流感测电压信号,当所述低侧开关晶体管接通且所述高侧开关晶体管关断时,所述高侧电流感测放大器在第二操作模式中响应于通过所述低侧开关晶体管的第二电流生成所述电流感测电压信号; 低侧电流感测放大器,用于在第二操作模式中感测通过所述调压器的所述低侧开关晶体管的第二电流并且向所述高侧电流感测放大器生成电流控制信号。9.如权利要求8所述的电流感测放大器,其特征在于,还包括多个开关,用于在第一操作模式中连接所述高侧电流感测放大器以监视通过所述高侧开关晶体管的第一电流,以及用于在第二操作模式中连接所述高侧电流感测放大器和所述低侧电流感测放大器以监视通过所述低侧开关晶体管的第二电流。10.如权利要求8所述的电流感测放大器,其特征在于,所述高侧电流感测放大器还包括 第一晶体管; 第一误差放大器,用于在第一操作模式中使跨所述第一晶体管的第一电压等于跨所述高侧开关晶体管的第二电压加上偏移电压;以及电压源,用于生成偏移电压。11.如权利要求10所述的电流感测放大器,其特征在于,通过所述高侧开关晶体管的所述第一电流被反射到所述高侧电流感测放大器的所述第一晶体管。12.如权利要求11所述的电流感测放大器,其特征在干,电流感测输出是响应于通过所述第一晶体管的所反射电流而生成的。13.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈思成,黄丛中,S·佩崔赛克,
申请(专利权)人:英特赛尔美国股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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