【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及电子电路,并且更具体地涉及感测放大器电路。
技术介绍
存储器阵列例如随机存取存储器(RAM)通常包括多个存储器单元,每个存储器单元存储表示该单元的逻辑状态(如〃 0〃或〃 1〃 )的电压。在存储器阵列中使用感测放大器以便感测所选择的存储器单元的输出电压,从而读取各单元各自的逻辑状态。 随着技术上的进步,存储器单元不断地縮小尺寸。不幸地,存储器单元尺寸的减小伴随着来自存储器单元的感测电压的减小。此外,随着技术继续縮小(存储器单元的尺寸),在感测放大器中的各晶体管器件之间的局部失配变得更显著,由此导致了感测放大器中的偏移电压的增加。由于感测放大器中各器件之间的局部阈值电压和电流失配所导致的偏移电压与存储器单元中存储的各逻辑状态之间的减小的电压差分相结合,降低了在读取操作期间的分辨率,并且强调了在感测放大器中降低DC偏移的重要性。 McClure的美国专利No. 5, 455, 798公开了将存储器阵列布置为具有冗余列的块,每个冗余列可以替代任何一块中的一列。包括了多个冗余感测放大器,其每一个与选择的冗余列相关联。冗余感测放大器由冗余列解码器控制。每 ...
【技术保护点】
一种感测放大器,包括:第一感测元件;对于第一感测元件是冗余的第二感测元件;以及被配置为在感测放大器的偏移大于规定量时在第一和第二感测元件之间切换的开关电路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:DE杜德克,DA伊万斯,彭海泉,WE韦纳,RJ沃兹尼亚克,
申请(专利权)人:艾格瑞系统有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。