粒状多晶硅及其生产方法技术

本发明专利技术涉及粒状多晶硅及其生产方法，粒状多晶硅，包含致密的基质，该致密的基质包含晶体尺寸从0.001μm至200μm的辐射针状晶群。用于生产粒状多晶硅的方法，包括：在流化床反应器中，在900°C-970°C的流化床温度下，由包含TCS和氢的具有20mol%至29mol%的TCS含量的气体混合物生产粒状硅，将在包含至少一个筛选板的筛选系统中获得的粒状硅分成至少两种或两种以上的筛选部分，并在研磨系统中研磨最小的筛选部分，以便给出具有100μm至1500μm尺寸并具有在400μm至900μm范围内的基于质量的中间值的籽晶，以及将这些籽晶供应至流化床反应器（1），并将进一步的筛选部分供应至流化床反应器（4），并在870°C-990°C的流化床温度下使用包含TCS和氢的具有5.1mol%至小于10mol%的TCS含量的气体混合物进行表面处理。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
粒状多晶硅，包含致密的基质，所述致密的基质包含晶体尺寸优选从0.001μm至200μm，更优选0.01μm至29μm并且最优选0.01μm至4μm的辐射针状晶群。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：哈拉尔德·赫特莱因，赖纳·豪斯维特，迪特尔·韦德豪斯，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
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