一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法。主要包括：（１）沉积于透明导电玻璃衬底上的Ｐ型非晶硅薄膜；（２）和Ｐ型非晶硅薄膜连接的Ｎ型微米颗粒硅和透明氧化物的复合薄膜，（３）和Ｎ型复合硅薄膜接触的银或铝背电极。本发明专利技术提出的核心工艺为：１）按硅质量百分比为３０～９０％的比例，混合高纯Ｎ型导电类型的硅粉和无机氧化物纳米晶、胶体得到复合浆料；２）采用喷涂、印刷等成膜工艺结合退火处理在Ｐ型非晶硅层上沉积一层厚度为５－５０微米的Ｎ型颗粒硅复合膜层。本发明专利技术引入了多晶硅／非晶硅异质ＰＮ结技术，同时采用颗粒多晶硅复合膜，避免了大粒径多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，具有成本低廉，工艺简单且光电转换效率高等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅基薄膜太阳能电池，本专利技术还涉及该硅基薄膜太 阳能电池的制作方法。
技术介绍
基于半导体硅材料的太阳能电池制作技术成熟，同时也己经获得广 泛的应用。这类太阳能电池可以分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能 电池和薄膜硅太阳能电池三种。多晶规、单晶硅太阳能电池大规模生产时的光电效率为15%-18%。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位， 但由于高纯硅成本价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料， 发展了硅薄膜太阳能电池。非晶硅薄膜太阳能能电池一般采用化学气相 沉积技术在透明导电玻璃上沉积非晶硅薄膜，并结合惨杂技术完成PIN结制作。当前遇到的主要难题是1)非晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率低，想进一步显著提高已经非常困难，同时还存在老化，稳定想差 等缺点。多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较，成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%，工业规模生产的转换 效率为10%。因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据 主导地位。但是采用常规技术在玻璃衬底上，沉积多晶硅薄膜沉积非常 困难，目前还没有实现真正意义上的多晶硅薄膜太阳能电池产业化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基薄膜太阳能电池，其特征是：在透明导电玻璃（４）上沉积有一层厚度为５０～２００纳米的Ｐ型非晶硅薄膜（３），在所述的Ｐ型非晶硅薄膜（３）上沉积有一层厚度为５－５０微米厚的Ｎ型颗粒硅＋透明无机氧化物复合膜（２），所述的Ｎ型颗粒硅＋透明无机氧化物复合膜（２）由纯度超过６Ｎ、导电类型为Ｎ型的多晶硅为原料制备成平均颗粒度为２．０～２０微米的Ｎ型多晶硅微粉且按硅质量百分比为３０～９０％的比例和无机氧化物溶液混合而成，在所述的Ｎ型颗粒硅＋透明无机氧化物复合膜（２）上设有一层银背电极或铝背电极（１）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万青，赵斌，周棋，易宗凤，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]