声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提出了一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：衬底；下层金属电极，所述下层金属电极的一端形成在所述衬底上，所述下层金属电极的另一端与所述衬底平行且保持一定距离；下层二氧化硅薄膜，形成在所述下层金属电极上；压电薄膜，形成在所述下层二氧化硅薄膜上；上层二氧化硅薄膜，形成在所述压电薄膜上；上层金属电极，形成在所述衬底、所述下层金属电极、所述下层二氧化硅薄膜、所述压电薄膜和所述上层二氧化硅薄膜上。本发明专利技术实施例提出的声波谐振器及其制备方法，通过增加二氧化硅薄膜，利用二氧化硅薄膜具有较低损耗的特点，有效提高声波谐振器的Q值，从而提高声波谐振器的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底的上表面沉积金属氧化物薄膜，光刻腐蚀所述金属氧化物薄膜后由所述金属氧化物薄膜形成牺牲层；在所述衬底和所述牺牲层的上表面甩光刻胶，对所述光刻胶光刻，在所述光刻胶上沉积金属薄膜，剥离所述光刻胶由所述金属薄膜形成下层金属电极；在所述衬底、所述牺牲层和所述下层金属电极的上表面甩光刻胶，对所述光刻胶光刻，在所述光刻胶上沉积二氧化硅薄膜，剥离所述光刻胶由所述二氧化硅薄膜形成下层二氧化硅薄膜；在所述衬底、所述牺牲层、所述下层金属电极和所述下层二氧化硅薄膜的上表面甩光刻胶，对所述光刻胶光刻，在所述光刻胶上沉积压电薄膜材料，剥离所述光刻胶由所述压电薄膜材料形成压电薄膜；在所述衬底、所述牺牲层、所述下层金属电极、所述下层二氧化硅薄膜和所述压电薄膜的上表面甩光刻胶，对所述光刻胶光刻，在所述光刻胶上沉积二氧化硅薄膜，剥离所述光刻胶由所述二氧化硅薄膜形成上层二氧化硅薄膜；在所述衬底、所述牺牲层、所述下层金属电极、所述下层二氧化硅薄膜、所述压电薄膜和所述上层二氧化硅薄膜的上表面甩光刻胶，对所述光刻胶光刻，在所述光刻胶上沉积金属薄膜，剥离所述光刻胶由所述金属薄膜形成上层金属电极；用酸性溶液对所述牺牲层进行刻蚀、释放，得到所述声波谐振器。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汤亮，乔东海，孙泉，齐敏，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：发明
国别省市：