【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备图形化蓝宝石衬底的方法，包括以下步骤：1)在C面蓝宝石衬底上制备一层二氧化硅薄膜；2)在二氧化硅薄膜上光刻形成图形化光刻胶掩膜；3)将步骤2)得到的衬底放入质量百分比浓度为1.5?4％的氢氟酸溶液中，在20～50℃浸泡20?50秒，取出进行步骤4)；4)将衬底放入BOE溶液中蚀刻去光刻胶掩膜图形间隙裸露的二氧化硅，然后去除光刻胶，形成图形化二氧化硅掩膜；5)在图形化二氧化硅掩膜保护下，利用酸腐蚀液蚀刻蓝宝石衬底，得到图形化蓝宝石衬底；6)湿蚀刻去除二氧化硅掩膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：代锦红，王农华，孙永健，张国义，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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