一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法技术

一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，涉及光电技术领域。本发明专利技术方法包括以下步骤：1）在衬底上均匀涂布一层抗蚀剂；2）将预先形成图形的压印模板压到抗蚀剂上；3）采用物理或者化学的方法使抗蚀剂硬化，并移除压印模板；4）对形成图形的抗蚀剂的表面实施灰化处理，去除部分抗蚀剂使得此部分的衬底暴露出来，抗蚀剂在衬底上形成抗蚀剂掩膜；5）将抗蚀剂上的图形转移到衬底上；6）去除抗蚀剂掩膜，完成对衬底的图形化制作。本发明专利技术制作方法不需要光刻工艺，具有制作步骤少、工艺简单、成本低、适于大规模量产的特点；可以提高氮化物器件的性能；可以有效提高氮化物发光二极管器件的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，该方法包括以下步骤：????1）在衬底（20）上均匀涂布一层抗蚀剂（21）；????2）将预先形成图形的压印模板（22）压到抗蚀剂（21）上；3）采用物理或者化学的方法使抗蚀剂（21）硬化，并移除压印模板（22）；4）对形成图形的抗蚀剂（21）的表面实施灰化处理，去除部分抗蚀剂（21）使得此部分的衬底（20）暴露出来，抗蚀剂（21）在衬底（20）上形成抗蚀剂掩膜（23）；5）将抗蚀剂（21）上的图形转移到衬底（20）上；6）去除抗蚀剂掩膜（23），完成对衬底（20）的图形化制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东海，刘刚，李志翔，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，同方股份有限公司，
类型：发明
国别省市：