【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双侧冷却功率半导体模块，该双侧冷却功率半导体模块包括：第一冷却器，该第一冷却器的一个表面上沿厚度方向形成有凹部；第一半导体芯片，该第一半导体芯片安装在所述第一冷却器的所述凹部上；第二冷却器，该第二冷却器具有一个表面和另一个表面并且形成在所述第一冷却器的一个表面上，使得所述第二冷却器的所述一个表面与所述第一半导体芯片接触；电路板，该电路板形成在所述第二冷却器的所述另一个表面上；第二半导体芯片，该第二半导体芯片安装在所述电路板上；以及挠性基板，该挠性基板具有电路层，该电路层将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片相互电连接。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金洸洙，李荣基，朴志贤，徐范锡，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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