具有带有垂直位线和选择器件的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法技术

技术编号:9281303 阅读:118 留言:0更新日期:2013-10-25 00:59
三维存储器被形成为跨过位于在半导体基板之上不同距离处的多层平面而形成的存储器元件的阵列。存储器元件响应于跨过其施加的电压差可逆地改变电导的水平。该三维阵列包括担当穿过多层平面的局部垂直位线的柱线的二维阵列,该阵列与每个平面上的字线的阵列一起用于访问存储器元件。在CMOS基板上方形成具有中间的柱选择层的三维存储器。利用多个柱选择器件形成柱选择层,该多个柱选择器件是在CMOS之外形成的垂直切换晶体管,并用于将所选行的柱线切换到基板上的相应金属线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:G萨马奇萨J埃尔斯梅尔
申请(专利权)人:桑迪士克三D有限责任公司
类型:
国别省市:

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