一种GaN基发光二极管外延片制造技术

本发明专利技术公开了一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置有LT—pGaN层（6），本发明专利技术有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置有LT—pGaN层（6）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芦玲，张向飞，钱仁海，刘坚，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：