一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及含该AlN薄膜的电器元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及含该AlN薄膜的电器元件，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的AlN薄膜层，所述Si衬底层的厚度为80－100μm，所述AlN薄膜层的厚度为3－5nm。在Si衬底层上生长AlN薄膜层，衬底与AlN之间的晶格失配度较低，获得的AlN晶体的质量较高；同时，通过控制Si衬底层和AlN薄膜层的厚度，为生长高质量GaN薄膜打下坚实的基础。本实用新型专利技术适合应用在LED器件、光探测器等电器件中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种生长在Si衬底上的AlN薄膜，其特征在于：包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的AlN薄膜层，所述Si衬底层的厚度为80－100μm，所述AlN薄膜层的厚度为3－5nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：