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本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置...该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。
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