【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种透明导电膜，包括基材层、密著层及导电层，所述密著层设于所述基材层及所述导电层之间，所述导电层的厚度为15?60nm，其特征在于：所述密著层是由硅材料制得。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜成城，刘比尔，
申请(专利权)人：汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司，
类型：发明
国别省市：
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