低电感集成电容元件制造技术

技术编号:9202801 阅读:163 留言:0更新日期:2013-09-26 06:40
本发明专利技术公开了一种产生低自感值集成电容元件,可提供电流及/或电压的倍增。电容元件具有二或四个串联的电容,每一电容包括多个串联并堆栈的电容单元(40)。每一电容单元(40)包括一成对配置并以介电质(20,30)隔开的延长薄膜电极(10),且多次折叠成一本质上扁平且卷绕的形式。在二电容元件的情形下,在一实施例中第一电容(11)及第二电容(12)所包含的相邻电容单元通过将它们所分别包括的薄膜电极于薄膜电极的一纵向边彼此连结的方式而互相串联。通过将二电容元件单元以不同方法连接,可配置出不同的四电容元件(80;90)以提供强化倍增的电流与电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低电感集成电容元件
本专利技术关于一种电容元件,尤指一种高电压集成电容元件。
技术介绍
电容常被使用于脉波功率应用的电路配置上,例如气体放电激光的运作需要快速、高电压、高电流的脉冲。在这些应用上,为了要得到某些倍压的形式或低电感高电流的放电操作,已知的LC反转与电容转移电路配置为最常被使用的方法。以上将以图1及图2分别概略描述上述二个电路配置。在LC反转放电电路中(如图1所示),两相同的电容1,2以并联方式充电。当切换间隙被触发而对电容放电后,将存在一电压振荡导至电压反转。切换装置两端将存在一微小的电压阻尼,切换装置例如火花间隙切换装置或轨道间隙切换装置4,两电容两端的电压可近似为一倍频电压,该倍频电压供应至激光通道装置3,而引发气体介质的电崩溃。在此假设充电元件5为一具有高电阻值的电阻或一具有适当电感值的电感。在电容转移电路(图2)中,使用两个不相同的电容。大电容值电容6先被充电至全电压,接着被触发以对火花间隙切换装置9进行放电。部分的储存电荷将被转移至一般为小三到四倍的峰值电容7,而导致气体激光通道8两端的电压近似倍增。为了能获得低电路电感操作,较小的峰值电容的配置将尽可能靠近放本文档来自技高网...
低电感集成电容元件

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.31 MY PI200956941.一种高电压电容元件,包括:一第一电容(11);以及一第二电容(12);每一电容包括多个串联并堆栈的电容单元(40);每一电容单元(40)包括一成对配置并以介电质(20,30)隔开的延长薄膜电极(10),该电容单元多次折叠成一本质上扁平且卷绕的形式;其中,该第一电容所包含的相邻电容单元通过将它们所分别包括的薄膜电极于该薄膜电极的一纵向边彼此连结的方式而互相串联;其中,该第二电容所包含的相邻电容单元通过将它们所分别包括的薄膜电极于该薄膜电极的两纵向边彼此连结的方式而互相串联;其中该第一电容与该第二电容以串联方式连接并整合至一封闭体(70)内;其中,该元件包含一内连至该第一电容(11)与该第二电容(12)的外部电极(17);其中,该外部电极(17)于其一纵向边包括一第一成对外部电极,该第一成对外部电极串联连接至该第一电容与该第二电容,而于该外部电极的另一纵向边,一第二成对外部电极则连接至该第二电容;以及其中,该第一成对外部电极及该第二成对外部电极经由部分绝缘的片状导电元件连接至个别电容薄膜电极,且该片状导电元件被纵向弯曲以形成两倒L型(21,22)或两U型(23)的外形。2.如权利要求1所述的高电压电容元件,其中,该外部电极并具有一与该薄膜电极的折叠部分的长度本质上对应的长度。3.如权利要求1所述的高电压电容元件,其中,该第一成对外部电极(17)设置于该元件的邻近于该薄膜电极的纵向边的一侧,该第二成对外部电极(17)则设置于该元件的邻近于该薄膜电极的另一纵向边的另一侧。4.一种高电压电容元件(80;90),包括:一第一电容(49b;56a);一第二电容(49a;56b);一第三电容(49d;56c);以及一第四电容(49c;56d);每一电容包括多个串联并堆栈的电容单元(40);每一电容单元(40)包括一成对配置并以介电质(20,30)隔开的延长薄膜电极(10),该电容单元多次折叠成一本质上扁平且卷绕的形式;其中,该第一电容及该第四电容(49b;49c;56a;56d)所包含的相邻电容单元通过将它们所分别包括的薄膜电极于该薄膜电极的一纵向边彼此连结的方式而互相串联;其中,该第二电容及该第三电容(49a;49d;56b;56c)所包含的相邻电容单元通过将它们所分别包括的薄膜电极于该薄膜电极的两纵向边彼此连结的方式而互相串联;其中该第一电容、该第二电容、该第三电容与该第四电容以串联方式连接并整合至一封闭体(70)内;其中,该元件包含一内连至该第一电容、该第二电容、该第三电容、及该第四电容(49a至49d,56a至56d)的外部电极(17);以及其中,该外部电极平行并设置于该元...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘金生阿尔伯特·国富·伍刘智雄刘金文大卫·马哈戴文谢晋扬张键和
申请(专利权)人:世勘有限公司
类型:
国别省市:

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