固体电解电容器以及制备固体电解电容器的方法技术

本发明专利技术提供了一种形成电容器的方法。该方法包括：提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；在电介质上施加导电种子层；在导电种子层和导电节点之间形成导电桥；向阳极施加电压；使单体进行电化学聚合，从而在导电种子层上形成单体的导电聚合物；以及中断介于导电种子层和导电节点之间的导电桥。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体电解电容器以及制备固体电解电容器的方法相关申请的交叉引用本专利技术要求于2010年9月21日提交的待决的美国临时专利申请No.61/384,785的优先权，其通过引用的方式并入本文。
本专利技术涉及固体电解电容器以及制备固体电解电容器的方法。更具体而言，本专利技术涉及用于改进阴极构造的导电桥形成方法，其中所述阴极包含电化学聚合的固有导电聚合物。
技术介绍
固体电解电容器是本领域已知的。包括固有导电聚合物阴极的固体电解电容器也是已知的。包括固有导电聚合物阴极的固体电解电容器的特殊问题在于制备成本、各部分中以及不同部分之间的聚合物覆盖率及装配（buildup）或厚度的不同。制备成本与以下两种因素有关。一种是化学原位聚合（化学原位聚合是为了达到足够的覆盖率而需要进行的）所需进行的浸渍/干燥循环的重复次数。另一种为进行目前的电化学聚合方法的设备的成本和复杂程度。由于电介质具有高阻性，因此难以通过使电流由阳极流过电介质来形成聚合涂层。为了避免该问题，通常在电介质上形成导电种子层，然后使外部电接点（externalelectricalcontact）与所述导电种子层接触。这种布置方式通常需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.21 US 61/384,7851.一种形成电容器的方法，包括：提供阳极；在所述阳极上形成电介质；在所述阳极和导电桥之间形成导电节点；向所述阳极施加电压，其中，电流经所述阳极流向所述导电桥以使单体进行电化学聚合，从而形成所述单体的导电聚合物作为活性阴极区；以及中断位于所述阳极和所述活性阴极区之间的所述导电桥。2.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述活性阴极区至少部分被导电种子层覆盖。3.权利要求2所述的形成电容器的方法，其中所述导电种子层包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。4.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥包括导电种子层。5.权利要求1所述的形成电容器的方法，还包括：在所述电介质上形成绝缘体。6.权利要求5所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥延伸超出所述绝缘体。7.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥与处理载体电连接。8.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电桥包括激光烧蚀。9.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。10.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电桥包括中断所述导电桥的导电性。11.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自阀金属和阀金属的导电氧化物所构成的组。12.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自铝、钽、铌和氧化铌所构成的组。13.一种形成电容器的方法，包括：提供阳极，该阳极上具有电介质以及与该阳极电接触的导电节点；在所述导电节点和活性阴极区之间形成导电通路，其中所述活性阴极区位于所述电介质上；向所述阳极施加电压，其中电流经所述阳极流向所述活性阴极区；使单体进行电化学聚合，从而在所述活性阴极区上形成所述单体的导电聚合物；以及中断位于所述导电节点和所述活性阴极区之间的所述导电通路。14.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电通路为导电桥。15.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述活性阴极区至少部分被导电种子层覆盖。16.权利要求15所述的形成电容器的方法，其中所述导电种子层包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。17.权利要求14所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥包括所述导电种子层。18.权利要求17所述的形成电容器的方法，其中所述导电桥为所述导电种子层。19.权利要求13所述的形成电容器的方法，还包括：在所述电介质上形成绝缘体。20.权利要求19所述的形成电容器的方法，其中所述导电通路延伸超出所述绝缘体。21.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电通路包括激光烧蚀。22.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电通路包含选自二氧化锰和导电聚合物的材料。23.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电通路包括中断所述导电通路的导电性。24.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自阀金属和阀金属的导电氧化物所构成的组。25.权利要求24所述的形成电容器的方法，其中所述阳极选自铝、钽、铌和NbO所构成的组。26.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电节点为位于所述阳极和所述导电通路之间的电通路。27.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电节点包含导电性的非阀金属材料。28.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述导电节点包含选自贵金属、不锈钢和碳的材料。29.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述节点选自半导体和导体。30.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述节点的电阻不大于102ΩΜ。31.权利要求13所述的形成电容器的方法，其中所述的中断所述导电通路包括除去或氧化所述导电通路的至少一部分。32.权利要求31所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过烧蚀来实现的。33.权利要求32所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过激光烧蚀来实现的。34.权利要求31所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过机械磨耗来实现的。35.权利要求31所述的形成电容器的方法，其中所述除去或氧化是通过热分...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·波尔托拉克，布兰登·萨梅，邱永坚，
申请(专利权)人：凯米特电子公司，
类型：
国别省市：