安装挠曲接触件制造技术

本发明专利技术涉及一种装置，其可包括由第一半导体材料形成的挠曲。第一沟槽可形成在所述挠曲中。所述第一沟槽可将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分。氧化物层可形成在所述第一沟槽中。所述氧化物层可在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸。第二半导体材料可形成在所述氧化物层上。所述第一沟槽及所述氧化物层可协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗曼·C·古铁雷斯，安克·贾殷，
申请(专利权)人：数位光学MEMS有限公司，
类型：
国别省市：