一种纳米硅掺杂复合钛酸锂负极材料的制备方法技术

技术编号:9199584 阅读:238 留言:0更新日期:2013-09-26 03:32
本发明专利技术公开了一种纳米硅掺杂复合钛酸锂负极材料的制备方法,原料按照重量份比例,包括以下工艺步骤:(1)制备前驱体浆料;(2)雾化、干燥、造粒以及分级;(3)热处理。本发明专利技术通过选用纳米硅粉,避免了硅粉因粒径较大而在充放电时产生的体积效应,保证了材料的在充放电过程中的稳定性,同时和钛酸锂进行复合处理,解决了单一钛酸锂负极材料容量偏低等缺点;再通过在复合材料体系里添加导电剂,是使材料体系内部形成导电网络,增加复合材料的导电性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米硅掺杂复合钛酸锂负极材料的制备方法,原料按照重量份比例,包括以下工艺步骤:(1)制备前驱体浆料:按照二氧化钛:碳酸锂:纳米硅:导电剂=100:38~40:3~5:5~10的比例,称取各组分分散于有机溶剂乙醇中,调节固含量至20%~40%,然后不断搅拌,得到前驱体浆料;(2)雾化、干燥、造粒以及分级:将步骤(1)中制备的前驱体浆料通过雾化、干燥和造粒,再经过粉体分级得到平均粒径介于5~15μm之间的粉体;(3)热处理:将步骤(2)中所得到的粉体在惰性气体的保护下,以10~20℃/min?的速度升温至1000~1200℃,再保温0.5~5h,自然降温,冷却后经过粉碎、筛分即得到本专利技术所述的高容量钛酸锂负极材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:田东鲍海友张贵萍
申请(专利权)人:深圳市斯诺实业发展有限公司永丰县分公司
类型:发明
国别省市:

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