非挥发性存储器棋盘格测试电路及其检测方法技术

本发明专利技术公开了一种非挥发性存储器棋盘格测试电路，包括：棋盘格地址产生电路、读控制信号产生电路、数据比较电路。棋盘格地址产生电路包括N位地址寄存器、N位带进位/借位的加/减法器和加/减控制电路。以最高位位加/减法器的进位/借位位作为检测结束信号，检测结束信号能判断测试地址是否达到最大值或最小值，从而能控制所述棋盘格测试电路的检测结束。本发明专利技术检测结束判断方法简单，相对于现有技术，本发明专利技术并不需要额外的最值寄存器和额外的最值比较器来形成检测结束信号，从而能大大简化电路和设计，减少电路面积。本发明专利技术公开了一种非挥发性存储器棋盘格测试电路的检测方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非挥发性存储器棋盘格测试电路，用于对容量为2N个存储单元的非挥发性存储器进行棋盘格测试，其特征在于，棋盘格测试电路包括：棋盘格地址产生电路、读控制信号产生电路、数据比较电路；所述棋盘格地址产生电路用于输出测试地址到所述非挥发性存储器，所述棋盘格地址产生电路包括N位地址寄存器、N位带进位/借位的加/减法器和加/减控制电路；每1位加/减法器都能实现1位数据与一位进/借位位或数据相加减，并输出新的数据和新的进/借位位；所述N位地址寄存器和N位加/减法器的连接关系为：第0位加/减法器由第0位地址寄存器的值与1相加/减，产生新的第0位地址送到所述第0位地址寄存器，同时产生一个进位/借位位，送到第1位加法器的输入端；第n位加/减法器由第n?1位加/减法器的进位/借位位与第n位地址寄存器的值相加，产生新的第n位地址送到所述第n位地址寄存器，同时产生第n位进位/借位位，其中n为1至N?1之间的值；以第N?1位加/减法器的进位/借位位作为检测结束信号，用于控制所述棋盘格测试电路的检测结束。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷冬梅，赵锋，张爱东，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：