【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，其特征在于，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘孟春，田武刚，胡靖华，胡佳飞，赵建强，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：
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