磁传感器制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种能够使强磁场抗性提高的磁传感器。本实施方式的磁传感器具有：多个元件部(9)；配置在各元件部的两侧的偏压层(10)；与各元件部及各偏压层非接触的软磁性体(12)。元件部(9)的灵敏度轴向(P1)及偏压层(10)的磁化方向为Y1-Y2方向。各偏压层(10)构成为对元件部(9)沿着X1-X2方向供给偏压磁场。各软磁性体构成为，在作用有X1-X2方向的外部磁场时能够将磁场变换为大致Y1-Y2方向并向元件部(9)供给。在俯视观察下在元件部(9)与软磁性体(12)之间设有间隔(T1)，并且偏压层(10)在俯视观察下未重叠在将各软磁性体(12)间的距离最短的缘部(12d)间呈直线状连结的虚拟线(E)上。另外，在元件连设体(17)的各软磁性体(12)之间不存在偏压层(10)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾花雅之，安藤秀人，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：
国别省市：