一种采用平面微线圈的GMR-MEMS集成弱磁传感器制造技术

一种采用平面微线圈的GMR-MEMS集成弱磁传感器，其中微压电桥的基座包括第一基座和第二基座，基座定在垫片上，垫片固定在绝缘基底上，桥身连接于第一基座和第二基座之间；压电片设置于桥身上并位于第一基座和第二基座之间；GMR敏感元件设置在桥身的下方并呈对称状布置，GMR敏感元件中磁力线聚集器包括第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器且之间留有间隙，GMR电阻包括构成惠斯通电桥的第一GMR电阻、第二GMR电阻、第三GMR电阻和第四GMR电阻，第一GMR电阻位于第一磁力线聚集器内，第二GMR电阻位于第二磁力线聚集器内，第三GMR电阻和第四GMR电阻位于间隙内；调制膜连接于桥身上处于与调制膜正对的位置处。本发明专利技术具有结构简单、噪声小、成本低廉、磁滞低等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种采用平面微线圈的GMR?MEMS集成弱磁传感器，其特征在于，包括绝缘基底（14）、压电片（3）、调制膜（10）、GMR敏感元件（5）以及位于绝缘基底（14）上的垫片（15）、平面线圈（6）、三组电极，所述微压电桥包括基座（1）和桥身（2），所述基座（1）包括第一基座（101）和第二基座（102）并通过垫片（15）固定在绝缘基底（14）的两端，所述桥身（2）连接于第一基座（101）和第二基座（102）之间；所述压电片（3）设置于桥身（2）上并位于第一基座（101）和第二基座（102）之间；所述GMR敏感元件（5）设置在桥身（2）的下方并沿桥身（2）的中线呈对称状布置，所述GMR敏感元件（5）包括GMR电阻（11）、磁力线聚集器（12）和间隙（13），所述磁力线聚集器（12）包括第一磁力线聚集器（1201）和第二磁力线聚集器（1202）且两者之间留有间隙（13），所述GMR电阻（11）包括构成惠斯通电桥的第一GMR电阻（1101）、第二GMR电阻（1102）、第三GMR电阻（1103）和第四GMR电阻（1104），所述第一GMR电阻（1101）位于第一磁力线聚集器（1201）内，所述第二GMR电阻（1102）位于第二磁力线聚集器（1202）内，所述第三GMR电阻（1103）和第四GMR电阻（1104）位于间隙（13）内；所述调制膜（10）连接于桥身（2）上且处于与调制膜（10）正对的位置处。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田武刚，赵建强，李文印，胡佳飞，潘孟春，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：