单芯片桥式磁场传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种单芯片桥式磁场传感器，该传感器包括基片、参考臂、感应臂、屏蔽结构，焊盘。其中参考臂、感应臂各自包含有至少两行/列由一个或多个相同磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串、感应元件串；参考元件串与感应元件串相互交错排放，磁电阻传感元件为选自AMR、GMR或者TMR传感元件中的一种，参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，感应元件串位于两个屏蔽结构之间的间隙处，屏蔽结构为由坡莫合金这种软磁材料制成的长条形阵列。此传感器可在准桥、半桥、全桥这三种电桥结构上得到实现。本发明专利技术公开的单芯片桥式磁场传感器具有以下优点：体积小、成本低、偏移量小、灵敏度高、线性度好、温度稳定性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单芯片桥式磁场传感器，其特征在于：它包括基片；沉积在所述基片上的惠斯通半桥或惠斯通准桥，所述惠斯通半桥或惠斯通准桥包括：参考臂R1，其包括至少两行/列的参考元件串，每个参考元件串由一个或者多个相同的磁电阻传感元件电连接构成；以及感应臂S1，其包括至少两行/列的感应元件串，每个感应元件串由一个或者多个相同的磁电阻传感元件电连接构成；所述参考元件串和所述感应元件串的行/列数相同，并沿纵/横向相间隔排布，相邻的所述参考元件串与所述感应元件串之间的间隔相同；至少三个屏蔽结构，所述屏蔽结构两两之间均设有一定的间隙，每个参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，每个感应元件串位于相应的间隙处；多个用于输入输出的焊盘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·G·迪克，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：