【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种自旋阀磁阻零位控制结构，属于弱磁矢量测量领域。
技术介绍
自旋阀(或隧道)磁阻器件的测磁范围较霍尔磁性元件的测量范围小许多，适用于更弱的磁场的测量，灵敏度也较高。从文献报道和实际情况看，自旋阀磁阻器件与磁通门传感器比较，性能指标在一个数量级上。相比较而言，磁通门传感器技术要求高，频率响应低，质量和体积比较大。而自旋阀磁阻器件体积小质量轻，具有较高的频率响应。但磁阻传感器由于自身的微磁电膜层的结构特点，存在输出电压零位随机漂移范围较大，不能使该种器件在军民品中的广泛应用。因此，若能解决自旋阀磁阻器件的电压零位随机漂移的不利影响，将在军事、工业、民用等领域有更广泛的使用空间。此外，不论是巨磁阻、自旋阀磁阻还是隧道式磁阻器件都存在纳米层级原子结构的不理想，产生了磁滞区域较大，以及微分磁导率的离散性较大(尤其是在低频磁场下工作时)。为了解决上述问题，国外有一些方法，如美国霍尼维尔公司采用了金属带包裹在磁阻元件上，然后在金属带内通过脉冲电流产生磁场，使磁阻元件充磁到饱和瞬态后可检测被测磁场的阻值，通过后续电路对磁场信号提取和处理，即可得到被测磁场值。这种器件...
【技术保护点】
一种自旋阀磁阻零位控制结构，其特征在于：所述结构包括印制电路板（1）、偏置永磁体（3）、交变磁场线圈（2）、线圈架（5）、自旋阀磁阻元件（4）；?其中，所述偏置永磁体（3）为长方体；?所述交变磁场线圈（2）包括第一线圈组（6）和第二线圈组（7），每组包括相互平行的两个线圈，第二线圈组（7）位于第一线圈组（6）之内；?所述自旋阀磁阻零位控制结构的安装方式如下：?在印制电路板（1）上安装永磁体（3）和自旋阀磁阻元件（4），永磁体（3）长度方向的轴线与自旋阀磁阻元件（4）的磁易敏感方向垂直；将交变磁场线圈（2）通过线圈架（5）安装在印制电路板（1）上；在交变磁场线圈（2）的中心位...
【技术特征摘要】
1.一种自旋阀磁阻零位控制结构，其特征在于:所述结构包括印制电路板(I)、偏置永磁体(3)、交变磁场线圈(2)、线圈架(5)、自旋阀磁阻元件(4)； 其中，所述偏置永磁体(3)为长方体； 所述交变磁场线圈(2)包括第一线圈组(6)和第二线圈组(7)，每组包括相互平行的两个线圈，第二线圈组(7)位于第一线圈组(6)之内； 所述自旋阀磁阻零位控制结构的安装方式如下: 在印制电路板(I)上安装永磁体(3 )和自旋阀磁阻元件(4 )，永磁体(3 )长度方向的轴线与自旋阀磁阻元件(4)的磁易敏感方向垂直；将交变磁场线圈(2)通过线圈架(5)安装在印制电路板(I)上；在交变磁场线圈(2)的中心位置布置I个或2个自旋阀磁阻元...
【专利技术属性】
技术研发人员：佘以军，车振，黄春奎，李伟，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七一○研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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