磁感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种磁感测装置，其包含基板、多个磁阻感测单元、补偿线圈以及重置线圈。多个磁阻感测单元分别设置于该基板上。补偿线圈设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流。重置线圈设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种磁感测装置，且特别是有关于一种磁阻式感测装置的线圈结构设计。
技术介绍
磁阻效应(Magnetoresistance Effect,MR)是指特定磁阻材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应。由于上述特性，磁阻材料通常被应用在各种磁力或磁场的感测装置当中，例如可用于固态罗盘定位(compassing)、金属检测以及位置检测等场合。目前以磁阻材料进行磁感测的装置，较常见的如巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)磁传感器与异向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)磁传感器等。巨磁阻效应存在于铁磁性(如:Fe，Co, Ni)与非铁磁性(如:Cr，Cu，Ag，Au)所形成的多层膜系统，由于巨磁阻(GMR)传感器需要铁磁性与非铁磁性材料交替设置的多层膜结构，在制造上较为复杂。异向性磁阻效应存在于铁磁性(如:Fe, Co, Ni)材料及其合金块材或薄膜上。异向性磁阻(AMR)传感器的磁阻变化量于异向性磁阻材料上所通过的工作电流有关。磁阻传感器中的磁阻材料具有一磁化方向，随着周围环境磁场的变化，各别磁阻材料的磁化方向将相对应地改变 ，因此，不同的环境条件下，磁阻材料各自的初始磁化方向将有所不同。另一方面，温度变化亦可能导致磁阻传感器发生磁感测上的灵敏度偏差。使得磁阻传感器在高温与低温操作下呈现不同的感测结果。如此一来，将导致磁阻传感器的输出结果失真。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术揭露一种磁感测装置，其包含多个磁阻感测单元、补偿线圈以及重置线圈。其中，补偿线圈用以导入补偿电流以建立补偿磁场，以校正不同温度下的灵敏度偏差。重置线圈用以导入重置电流以建立重置磁场，借此在进行感测之前，重置磁阻感测单元的磁化方向，使磁阻感测单元的磁化方向一致，借此确保磁感测装置的感测精确度。此外，本案的重置线圈上还进一步具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处，借此，可确保重置电流在流经重置线圈时均匀分布，避免重置电流过度集中于重置线圈中各线段的同一侧边上。本专利技术的一方面是在提供一种磁感测装置，其包含基板、多个磁阻感测单元、补偿线圈以及重置线圈。多个磁阻感测单元分别设置于该基板上。补偿线圈设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流。重置线圈设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。根据本专利技术的一实施例，其中该重置线圈包含多个主要线段以及多个连接线段，其中该些主要线段平行排列且彼此间留有空隙，其中每一连接线段连接于其中两个主要线段的相邻端点之间，并使该重置线圈中的该些主要线段以及该些连接线段连接为一螺旋状线圈。根据本专利技术的一实施例，其中该螺旋状线圈为一顺时针螺旋或一逆时针螺旋。根据本专利技术的一实施例，其中当该重置电流流经螺旋状的该重置线圈时，建立一重置磁场以重置该些磁阻感测单元。根据本专利技术的一实施例，其中该些缺口结构所在的转折处为该些主要线段与该些连接线段的交界处。根据本专利技术的一实施例，其中每一该些主要线段具有邻近该螺旋状线圈的中心的内侧侧边以及相对的外侧侧边，该些缺口结构系设置于该些主要线段的内侧侧边上。于实际应用中，该些缺口结构可用以避免该重置电流过度集中于该些主要线段的内侧侧边。根据本专利技术的一实施例，其中该些主要线段的线段宽度大于该些连接线段的线段览度。根据本专利技术的一实施例，其中每一该些磁阻感应组件为一长条状，且每一该些磁阻感应组件的两端分别为锐角尖端。根据本专利技术的一实施例，其中该磁感测装置为一异向性磁阻(AnisotropicMagnetoresistance, AMR)感测装置,而该些磁阻感测单元分别包含一异向性磁阻材料。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下:图1绘示根据本专利技术的一实施例中一种磁感测装置的俯视示意图；图2绘示图1中磁阻感测单元其分离示意图；图3绘示图1中补偿线圈其分离示意图；图4绘示图1中重置线圈其分离示意图；以及图5绘示图1中重置线圈其分离示意图。主要组件符号说明100:磁感测装置120:基板140a, 140b:磁阻感测单元160:补偿线圈162:补偿电流180:重置线圈182:重置电流184:主要线段186:连接线段184a:内侧侧边 184b:外侧侧边188:缺 口结构188a:锥形缺角188b:狭缝具体实施例方式请参阅图1，其绘示根据本专利技术的一实施例中一种磁感测装置100的俯视示意图。如图1所示，磁感测装置100至少包含基板120、多个磁阻感测单元140a，140b、补偿线圈160以及重置线圈180。实际应用中，磁感测装置100可更进一步包含输出入接口端点(未绘示)以及相对应的连接线路(未绘示)，用来将电流或电压信号导入上述磁阻感测单元140a，140b、补偿线圈160以及重置线圈180当中，由于接口端点与连接线路的设置为已知技艺之人所熟知，故在此不另赘述。请一并参阅图2,其绘示图1中磁阻感测单元140a, 140b其分离示意图。如图1与图2所示，本实施例中磁感测装置100包含多个磁阻感测单元140a，140b分别设置于基板120上。于此实施例中，磁感测装置100共有十六组磁阻感测单元140a，140b，但本专利技术并不此特定数目的磁阻感测单元140a，140b为限，实际应用中，磁阻感测单元140a，140b的数量可视实际磁感应需求而订。如图2所示，每一磁阻感测单元140a，140b分别为一长条状，且磁阻感应组件140a，140b的两端分别为锐角尖端。由于，已知的磁阻感应组件的两端为方形端，两端边在线较容易极化而形成静态磁场,此一静态磁场将使得磁阻感应组件的灵敏度下降。本案中的磁阻感应组件140a，140b的两端分别为锐角尖端，借此可减少在端在线发生极化现象并避免上述静态磁场的发生。于此实施例中，磁感测装置100可为异向性磁阻(AnisotropicMagnetoresistance, AMR)感测装置,而磁阻感测单元140a, 140b可分别包含异向性磁阻材料。磁阻感测单元140a，140b的阻值将随施加于其上的磁场而改变，因此，磁感测装置100透过磁阻感测单元140a，140b可用以感测周围的磁场。请一并参阅图3，其绘示图1中补偿线圈160其分离示意图。如图1与图3所示，本实施例中补偿线圈160设置于该些磁阻感测单元140a，140b上方，补偿线圈160的至少一部份覆盖该些磁阻感测单元140a，140b。补偿线圈160用以导入补偿电流162 (如图3所示)。补偿电流162流过该补偿线圈160用来建立一补偿磁场至磁阻感测单元140a, 140b。此补偿磁场可用来环境温度改变对磁阻感测单元140a，140b所造成的影响，其校正的效果可透过补偿电流162的电流大小进行控制。须特别说明的是，本实施例中补偿线圈160具有双螺旋结构，补偿线圈160的左半部为顺时针螺旋，右半部为逆时针螺旋。通过此反向的双螺旋设计，并配合本案中补偿线圈160与磁阻感测单元140a，140b的配置关系，于此例中，通过磁阻感测单元140a，140b上方的补偿电流162皆具有相同的电流流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁感测装置，其特征在于，包含：一基板；多个磁阻感测单元，分别设置于该基板上；一补偿线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流；以及一重置线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。

【技术特征摘要】
1.一种磁感测装置，其特征在于，包含: 一基板； 多个磁阻感测单元，分别设置于该基板上； 一补偿线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流；以及 一重置线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。2.根据权利要求1所述的磁感测装置，其特征在于，该重置线圈包含多个主要线段以及多个连接线段，其中该些主要线段平行排列且彼此间留有空隙，其中每一连接线段连接于其中两个主要线段的相邻端点之间，并使该重置线圈中的该些主要线段以及该些连接线段连接为一螺旋状线圈。3.根据权利要求2所述的磁感测装置，其特征在于，该螺旋状线圈为一顺时针螺旋或一逆时针螺旋。4.根据权利要求2所述的磁感测装置，其特征在于，当该重置电流流经螺旋状的该重置线圈时，建立一重...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔晓桥，
申请(专利权)人：爱盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：