磁感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种磁感测装置，其包含基板、多个磁阻感测单元、补偿线圈以及重置线圈。多个磁阻感测单元分别设置于该基板上。补偿线圈设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流。重置线圈设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种磁感测装置，且特别是有关于一种磁阻式感测装置的线圈结构设计。
技术介绍
磁阻效应(Magnetoresistance Effect,MR)是指特定磁阻材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应。由于上述特性，磁阻材料通常被应用在各种磁力或磁场的感测装置当中，例如可用于固态罗盘定位(compassing)、金属检测以及位置检测等场合。目前以磁阻材料进行磁感测的装置，较常见的如巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)磁传感器与异向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)磁传感器等。巨磁阻效应存在于铁磁性(如:Fe，Co, Ni)与非铁磁性(如:Cr，Cu，Ag，Au)所形成的多层膜系统，由于巨磁阻(GMR)传感器需要铁磁性与非铁磁性材料交替设置的多层膜结构，在制造上较为复杂。异向性磁阻效应存在于铁磁性(如:Fe, Co, Ni)材料及其合金块材或薄膜上。异向性磁阻(AMR)传感器的磁阻变化量于异向性磁阻材料上所通过的工作电流有关。磁阻传感器中的磁阻材料具有一磁化方向，随着周围环境磁场的变化，各别磁阻材料的磁化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁感测装置，其特征在于，包含：一基板；多个磁阻感测单元，分别设置于该基板上；一补偿线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流；以及一重置线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。

【技术特征摘要】
1.一种磁感测装置，其特征在于，包含: 一基板； 多个磁阻感测单元，分别设置于该基板上； 一补偿线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该补偿线圈用以导入一补偿电流；以及 一重置线圈，设置于该些磁阻感测单元上方，该重置线圈用以导入一重置电流，该重置电流用以重置该些磁阻感测单元，该重置线圈具有多个缺口结构位于该重置线圈的转折处。2.根据权利要求1所述的磁感测装置，其特征在于，该重置线圈包含多个主要线段以及多个连接线段，其中该些主要线段平行排列且彼此间留有空隙，其中每一连接线段连接于其中两个主要线段的相邻端点之间，并使该重置线圈中的该些主要线段以及该些连接线段连接为一螺旋状线圈。3.根据权利要求2所述的磁感测装置，其特征在于，该螺旋状线圈为一顺时针螺旋或一逆时针螺旋。4.根据权利要求2所述的磁感测装置，其特征在于，当该重置电流流经螺旋状的该重置线圈时，建立一重...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔晓桥，
申请(专利权)人：爱盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：