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本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器,包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底,两个磁力线聚集器呈对称状布置,两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处,另外两个所述M...该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有,仅供学习研究参考,未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。
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本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器,包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底,两个磁力线聚集器呈对称状布置,两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处,另外两个所述M...