双模单馈入天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双模单馈入天线，包括：一晶片天线及一基板。该晶片天线包含有一载体及设于该载体内部及外部的一第一辐射体、一第二辐射体、一电极部、一电连接部及一图案层。以调整该第一辐射体来控制5GHZ频段阻抗、共振频率、频宽与辐射效应。又，以该第一辐射体及该第二辐射体之间的耦合关系的耦合面积及耦合距离，形成二耦合电容彼此相配合调变，来控制2.45GHZ频段，而达到预定的目标阻抗、共振频率、频宽与辐射效应，且可有效缩小天线尺寸。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双模单馈入天线，包含一晶片天线与一基板，该晶片天线包括：一载体，其上至少具有一顶面、一底面及二侧面；一第一辐射体，设于该载体的左侧内部；一第二辐射体，设于该载体右侧内部并位于该第一辐射体上方且近邻该载体的顶面，该第一辐射体与该第二辐射体呈平行重叠的耦合关系；一电连接部，与该第一辐射体及该第二辐射体电性连接；一电极部，设于该载体的底面上与该电连接部电性连接；该基板与晶片天线电性连接，基板正面上具有一接地金属层及一第一镂空部，该第一镂空部的一侧延伸有一第二镂空部，该第一镂空部上具有一第一接点，该第一接点相邻有一信号馈入线段，该信号馈入线段延伸位于该第二镂空部中，另于该信号馈入线段相邻有一与该接地金属层电性连接的第二接点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡为闳，廖文照，
申请(专利权)人：昌泽科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：