场效应晶体管气体传感器及其制造方法技术

技术编号:9169664 阅读:191 留言:0更新日期:2013-09-19 18:02
本发明专利技术公开了一种新型场效应晶体管气体传感器,该传感器包括至少两个场效应晶体管,所述至少两个场效应晶体管并列排布,串接排布,或者环状排布,并且以共源、共漏或共源且共漏中一种或者它们的组合连接,其中至少一个场效应晶体管的栅电极作为参考栅电极而不具有敏感膜,其余场效应晶体管的栅电极作为测试栅电极而具有敏感膜。同时还提供了一种制作所述传感器的方法和使用所述传感器进行测试的方法。本发明专利技术提供的新型场效应晶体管气体传感器,可以通过改变场效应晶体管的连接方式、排布、参考栅电极和测试栅电极的排列方式以及敏感膜的材料组成,对不同的物质进行检测,且具有功耗低、便于设计加工、物理稳定性好、检测范围灵活多变的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种场效应晶体管气体传感器,包括至少两个场效应晶体管,所述至少两个场效应晶体管并列排布,串接排布,或者环状排布,并且以共源、共漏或共源且共漏中一种或者它们的组合连接,其中至少一个场效应晶体管的栅电极作为参考栅电极而不具有敏感膜,其余场效应晶体管的栅电极作为测试栅电极而具有敏感膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梁圣法李冬梅刘明谢常青陈鑫詹爽
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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