新型高密度阴极等离子体源制造技术

技术编号:9146726 阅读:163 留言:0更新日期:2013-09-12 07:43
本发明专利技术公开了一种新型高密度阴极等离子体源,包括有屏蔽罩,屏蔽罩中设有屏蔽筒,屏蔽筒中设有LaB6阴极、加热元件,屏蔽罩的后端设有安装基座,安装基座为水冷热沉结构,安装基座通过数个支撑杆固定在安装法兰的内壁上,安装法兰安装进气连接件作为进气口,安装法兰自外向内贯穿一个电连接件,电连接件的周围与安装法兰之间超高真空密封,电连接件的一端与加热元件连接,安装法兰外还设有一水冷电极,水冷电极通过安装法兰内的水冷接头与加热元件连接。本发明专利技术可为各种等离子体物理科研装置提供高密度等离子体源,应用广泛。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:包括有屏蔽罩,屏蔽罩中设有屏蔽筒,屏蔽筒中设有LaB6阴极、加热元件,屏蔽罩的后端设有安装基座,安装基座为水冷热沉结构,安装基座通过数个支撑杆固定在安装法兰的内壁上,安装法兰安装进气连接件作为进气口,安装法兰自外向内贯穿一个电连接件,电连接件的周围与安装法兰之间超高真空密封,电连接件的一端与加热元件连接,安装法兰外还设有一水冷电极,水冷电极通过安装法兰内的水冷接头与加热元件连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李波吴杰峰罗广南王海京韦俊宋春
申请(专利权)人:合肥聚能电物理高技术开发有限公司
类型:发明
国别省市:

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