本发明专利技术公开了一种高温等离子体边界光信号采集装置及其加工方法，采集装置包括探头组件及固定在探头组件中的光纤、晶片；所述探头组件包括探头壳体及设置在探头壳体中的探头芯体，探头壳体外设有与其形状相适配的屏蔽罩，探头芯体包括层级叠放的钼板，探头壳体包括相对设置的探头上钼壳及探头下钼壳，钼板表面及探头上钼壳、探头下钼壳内侧的中部沿长度方向上设有光纤槽，光纤槽端部设有与其相接的晶片放置槽，探头壳体与探头芯体之间通过内部螺钉锁紧固定，探头组件与屏蔽罩之间通过外部螺钉锁紧固定；加工方法包括锁紧固定等步骤。本发明专利技术结构紧凑，体积小、质量轻，能够承受较大惯性力及高温考验；同时也具有采集精度高的优势。势。势。
【技术实现步骤摘要】
高温等离子体边界光信号采集装置及其加工方法
[0001]本专利技术涉及光信号采集装置
，具体涉及一种核聚变装置中的高温等离子体边界光信号采集装置及其加工方法。
技术介绍
[0002]目前，核聚变装置运行参数越来越高，在采集等离子体边界光信号的难度也越来越大。根据EAST装置的运行参数，采集装置晶片每秒钟温升到达上千摄氏度以上，同时也有大量的杂波信号影响信号采集，所以必须在采集过程中快速进出等体边界，降低热量的导入，并且能够屏蔽杂波信号的输入，以保证采集装置的正常运行。而现有技术中的光信号采集装置难以达到上述要求。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，一方面提供一种能够满足核聚变装置中的高温等离子体边界光信号采集要求的装置。
[0004]一种高温等离子体边界光信号采集装置，包括探头组件及固定在探头组件中的光纤、晶片；所述探头组件包括探头壳体及设置在探头壳体中的探头芯体，探头壳体外设有与其形状相适配的屏蔽罩，探头芯体包括层级叠放的钼板，探头壳体包括相对设置的探头上钼壳及探头下钼壳，钼板表面及探头上钼壳、探头下钼壳内侧的中部沿长度方向上设有光纤槽，光纤槽端部设有与其相接的晶片放置槽，探头壳体与探头芯体之间通过内部螺钉锁紧固定，探头组件与屏蔽罩之间通过外部螺钉锁紧固定。
[0005]另一方面提供一种制造上述温等离子体边界光信号采集装置的加工方法。
[0006]一种高温等离子体边界光信号采集装置的加工方法，用于加工上述温等离子体边界光信号采集装置，包括以下步骤：（1）、加工钼板、探头上钼壳及探头下钼壳的装配基准，然后再加工光纤槽及晶片放置槽；（2）、在底层钼板从下至上穿入内部螺钉；（3）、将光纤与晶片放入步骤（3）中底层钼板的光纤槽及晶片放置槽中；（4）、按步骤（3）
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（4）的方式由下至上放置各层钼板，以及各钼板上的光纤与晶片，构成探头芯体；（5）、将探头上钼壳、探头下钼壳装配到探头芯体的上下侧，并通过内部螺钉实现探头组件整体的锁紧固定；（6）、通过外部螺钉实现探头组件与屏蔽罩的锁紧固定。
[0007]本专利技术结构紧凑，与现有光信号采集装置相较体积小、质量轻，从而具有安装方便、能够承受较大惯性力的优势；而且通过配合钼的使用，使整个装置能够承受高温考验；同时通过采用屏蔽罩及晶片、光纤结合处在各层钼上的错位布置，可屏蔽掉绝大多数杂波信号误入光路，提高了采集精度。
[0008]采用本专利技术所述的加工方法，不仅降低了加工和装配难度，而且极大地减小了装配间隙和装配误差，提高了光纤和晶片的定位精度。
[0009]本专利技术的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本实施例的结构示意图；图2为本实施例中探头组件的安装结构示意图；图3为本实施例中探头芯体的安装结构示意图。
具体实施方式
[0012]下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0013]参见图1，本实施例提供的一种高温等离子体边界光信号采集装置，包括探头组件1及固定在探头组件1中的光纤2、晶片3，为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本实施例的技术方案是，参见图2及图3，探头组件1包括探头芯体11及与探头壳体12，探头芯体11设置在探头壳体12中，探头壳体12外设有与其形状相适配的屏蔽罩4，探头芯体11包括层级叠放的钼板111，探头壳体12包括相对设置的探头上钼壳121及探头下钼壳122，钼板111表面及探头上钼壳121、探头下钼壳122内侧的中部沿长度方向上设有用于放置光纤2的光纤槽13，光纤槽13端部设有与其相接的晶片放置槽14，晶片3一部分置于晶片放置槽14中，另一部分从屏蔽罩4后端面伸出（图1所示），钼板111、探头上钼壳121及探头下钼壳122沿光纤槽13两侧开设有探头锁紧孔5，内部螺钉6从各探头锁紧孔5中穿过，实现各钼板111、探头上钼壳121及探头下钼壳122之间的锁紧固定，钼板111、探头上钼壳121、探头下钼壳122及屏蔽罩4上还开设有屏蔽罩锁紧孔7，外部螺钉8从屏蔽罩锁紧孔7中穿过，实现屏蔽罩4与探头组件1之间的锁紧固定。
[0014]本实施例由于采用分体式结构，所以在较小的空间范围内，能够实现晶片3与光纤2的高精度对接和安装固定，同时由于钼具有很高的热导系数，晶片3与钼板111、探头上钼壳121及探头下钼壳122之间也为平面接触，所以钼能迅速将晶片上的热量带走，使光纤2和晶片3能够运行于较高的温度范围内，不会烧坏；另外由于增加屏蔽罩4，以及晶片3、光纤2结合处在各层钼上的错位布置，可屏蔽掉绝大多数杂波信号误入光路，提高了探采集精度。
[0015]一种高温等离子体边界光信号采集装置的加工方法，用于加工上述温等离子体边界光信号采集装置，包括以下步骤：（1）、先加工出钼板111、探头上钼壳121及探头下钼壳122的装配基准，然后再加工光纤槽13及晶片放置槽14，以保证后期的装配精度；（2）、各个钼板111、探头上钼壳121及探头下钼壳122加工时预留装配间隙，使光纤2与晶片3完成定位后，能够紧紧固定在光纤槽13及晶片放置槽14中；
（3）、在底层钼板111从下至上穿入内部螺钉6，放置水平；（4）、将光纤2与晶片3放入底层钼板111的光纤槽13及晶片放置槽14中；（5）、按步骤（3）
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（4）的方式由下至上放置各层钼板111，以及各钼板111上的光纤2与晶片3，构成探头芯体11；（6）、将内部螺钉6穿入探头下钼壳122，并在探头下钼壳122的光纤槽13及晶片放置槽14中放置光纤2与晶片3；（7）、在顶层钼板111顶面的的光纤槽13及晶片放置槽14中放置光纤2与晶片3后，压入探头上钼壳121，并通过内部螺钉6将探头芯体11及与探头壳体12紧固，形成探头组件1；（8）、在探头组件1外罩设屏蔽罩4，使晶片3一部分从屏蔽罩4后端面伸出即可。
[0016]采用上述工艺，使所有加工和装配过程均可通过目视直观看到，降低了加工和装配难度，通过一体式加工分体装配工艺，极大地减小了装配间隙和装配误差，提高了光纤2和晶片1的定位精度，每一个晶片3和光纤2都通过多处螺钉进行紧固固定，增强了装置的抗抖动能力。
[0017]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本专利技术思路下的技术方案均属于本专利技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温等离子体边界光信号采集装置，包括探头组件及固定在探头组件中的光纤、晶片，其特征在于：所述探头组件包括探头壳体及设置在探头壳体中的探头芯体，探头壳体外设有与其形状相适配的屏蔽罩，探头芯体包括层级叠放的钼板，探头壳体包括相对设置的探头上钼壳及探头下钼壳，钼板表面及探头上钼壳、探头下钼壳内侧的中部沿长度方向上设有光纤槽，光纤槽端部设有与其相接的晶片放置槽，探头壳体与探头芯体之间通过内部螺钉锁紧固定，探头组件与屏蔽罩之间通过外部螺钉锁紧固定。2.根据权利要求1所述的一种高温等离子体边界光信号采集装置，其特征在于：所述钼板、探头上钼壳及探头下钼壳沿光纤槽两侧开设有探头锁紧孔，内部螺钉从各探头锁紧孔中穿过，实现各钼板、探头上钼壳及探头下钼壳之间的锁紧固定；钼板、探头上钼壳、探头下钼壳及屏蔽罩上还开设有屏蔽罩锁紧孔，外部螺钉从屏蔽罩锁紧孔中穿过，实现屏蔽罩与探头组件之间的锁紧固...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘念，周能涛，孙亚运，张虎，曹福坤，
申请(专利权)人：合肥聚能电物理高技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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