【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种SOI晶圆，具备：支承衬底；以及绝缘层，形成于所述支承衬底上，?在形成有所述绝缘层的所述支承衬底的一个主面形成有规定的空腔图案，还具备：活性半导体层，堵塞所述空腔图案并形成于所述绝缘层上，所述活性半导体层未形成于所述支承衬底的外周部，还具备：多个叠合标记图案，形成于所述支承衬底的所述一个主面侧的所述外周部，并确定所述空腔图案的位置。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：清水和宏，山下润一，蔀拓一郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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