蓝光响应增强的高效黑硅光伏器件制造技术

技术编号:9116943 阅读:212 留言:0更新日期:2013-09-05 06:14
具有改进的蓝光响应的光伏(PV)器件。PV器件在光接收侧上包含具有发射层的硅衬底。发射层所具有的掺杂物水平使得其薄层电阻为90~170欧姆/sq。仅仅通过光接收表面上的纳米结构或黑硅表面,在PV器件中提供抗反射,其中通过扩散形成发射极。以不会导致金或其它高复合金属留在黑硅中的方式,如使用银的金属辅助刻蚀,形成黑硅的纳米结构。进一步处理黑硅,扩大所述孔隙,这样可提供侧向尺寸为65~150纳米的更大的纳米结构,以减少表面面积并且还刻蚀掉发射极的高掺杂部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:J·吴H·M·布伦兹HC·阮
申请(专利权)人:可持续能源联盟有限责任公司
类型:
国别省市:

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