一种PECVD制程腔离子源扩散板装置制造方法及图纸

技术编号:9079291 阅读:123 留言:0更新日期:2013-08-22 20:17
本发明专利技术系提供一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,通过放置在离子源两侧的扩散板装置将离子化的气体向两侧扩散,致使在两极中的等离子体可均匀地向两侧扩散,增加薄膜沈积的面积,勿需将极板扩大的情况下,有效地增大等离子体沈积面积,对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,具体涉及镀膜沉积机制。
技术介绍
现有PECVD等离子体增强化学气象沉积设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,而薄膜沉积的有效面积及其内的沉积均匀度与等离子体面积有相当大的关系,一般为求基片面积大小内的薄膜沉积的均匀度能达到一定的效果,会制作相对于基片Γ2倍大的电极板,以产生相当大且有效的等离子体范围用以沉积薄膜,此举不仅增加零件制作周期同时也增加制作上的成本。
技术实现思路
综上所述,为了克服现有技术不足,本专利技术的主要目的在于提供一种PECVD制程腔离子源扩散板装置。为了达到上述目的,本专利技术所采用的技术方案是: 一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,通过放置在离子源两侧的扩散板装置将离子化的气体向两侧扩散,致使在两极中的等离子体可均匀地向两侧扩散,增加薄膜沉积的面积,勿需将极板扩大的情况下,有效地增大等离子体沉积面积,对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。综上所述本专利技术结构简单、制作方便。附图说明 图1系为本专利技术结构示意图。主要组件符号说明 11...沈积设备腔体 12...上电极板 13...下电极板 14...扩散板 15...抽气口 16...等离子体具体实施例方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明。请参阅图1所示,一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,其包括沉积设备腔体11、上电极板12、下电极板13、扩散板14及抽气口 15所组成,将扩散板14放置在下电极板13两侧,有效地将离子化的气体向两侧扩散并均匀地向抽气口 15扩散,致使在两电极板中的等离子体16也可均匀地向两侧扩散,增加等离子体面积,同时也增加薄膜沉积的面积,勿需将极板扩大的情况下,有效地增大等离子体沉积面积,对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。以上所述实例是对本专利技术技术方案的说明而非限制,所属
普通技术人员的等同替换或者根据现有技术而做的修改,只要未超出本专利技术技术方案的思路和范围, 均应包含在本专利技术的权力要求范围之内。权利要求1.一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,其特征在于材质为不锈钢板,厚度2_、高度250mmo2.根据权利要求I所述之一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,其特征在于结构成π字形状。全文摘要本专利技术系提供一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,通过放置在离子源两侧的扩散板装置将离子化的气体向两侧扩散,致使在两极中的等离子体可均匀地向两侧扩散,增加薄膜沈积的面积,勿需将极板扩大的情况下,有效地增大等离子体沈积面积,对于设备制造成本及节约能源有相当的效果。文档编号C23C16/50GK103255395SQ20121003376公开日2013年8月21日 申请日期2012年2月15日 优先权日2012年2月15日专利技术者周文彬, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种PECVD制程腔离子源扩散板装置,其特征在于材质为不锈钢板,厚度2mm、高度250mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周文彬刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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