一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法，有源环形谐振腔为：脊型波导或条形波导构成的任意闭合环路，有源环形谐振腔上制作有P型电极和N型电极，有源环形谐振腔内的激射光通过垂直耦合器耦合进条形直波导，条形直波导输出激射光。用金属有机物化学气相淀积或分子束外延方法依次生长预设厚度和浓度的N型下包层、第一渐变折射率限制层、第一势垒层、多量子阱有源层、第二势垒层、第二渐变折射率限制层、P型上包层和P型接触层。用SiO2图形作掩膜刻蚀若干外延层，刻蚀深度小于等于第一高度，且大于等于第二高度，将有源环形谐振腔转移到晶片上。实现的环形激光器具有工艺简单、成本低、器件性能稳定及可靠性高等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种垂直耦合结构的半导体环形激光器，其特征在于，所述半导体环形激光器包括：由半导体材料制成的有源环形谐振腔，所述有源环形谐振腔为：脊型波导或条形波导构成的任意闭合环路，所述有源环形谐振腔上制作有P型电极和N型电极，用于实现半导体材料的光激射，所述有源环形谐振腔内的激射光通过垂直耦合器耦合进条形直波导，所述条形直波导输出所述激射光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢生，郭婧，毛陆虹，张世林，郭维廉，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：