GaN边缘发射激光器中增强的平面性制造技术

本发明专利技术提供了一种GaN边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底、有源区、N侧波导层、P侧波导层、N型包覆层和P型包覆层。GaN衬底限定了晶体生长面和滑移面。N侧和P侧波导层包含GaInN/GaN或GaInN/GaInN超晶格（SL）波导层。N侧和P侧SL波导层的超晶格层限定了针对波导平面性进行优化的相应层厚度，所述层厚度在约1nm与约5nm之间。根据本发明专利技术的另一实施方式，通过确保N侧和P侧GaN基波导层以超过约0.09nm/s的生长速率生长来促进平面化，而不管N侧和P侧GaN基波导层被设置为GaInN/GaN或GaInN/GaInN?SL波导层还是本体波导层。在其他一些实施方式中，可通过选择最佳SL层厚度和生长速率来促进平面化。本发明专利技术还描述了其他的实施方式，并要求专利保护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】GaN边缘发射激光器中增强的平面性要求在先提交的美国申请的权益本申请要求2010年5月28日提交的美国申请系列第12/789，956号的权益。此文件的内容以及本文提到的出版物、专利和专利文件的所有内容都通过参考结合入本文中。背景本专利技术涉及GaN边缘发射激光器，更具体地涉及提高这种激光器的平面性的方案。专利技术简述本专利技术人认识到，在半极性GaN衬底上生长的长波长发光器件能够表现出提高的 辐射效率。例如，高效绿光激光二极管可在半极性2〔行1 GaN衬底上生长，即使在高In组成的情况下也能得到均匀的GaInN量子讲。本专利技术人还认识到，在这种器件中，在GaN衬底上生长的异质外延GaInN和AlGaInN层在许多情况下难以保持平面性。更具体地说，对于许多在半极性GaN衬底上生长的长波长发光器件，一些层，特别是在低温下生长并包含In的那些层，发生小面化和起伏。这些起伏会产生厚度不均匀且/或In含量不均匀的非平面量子阱。所得到的激光器结构的非平面性会变得很高，特别是波导层和包覆层的非平面性会引起过度的光损耗。在量子阱中，厚度的不均匀和铟含量的变化会减小增益，并使发射光谱变宽。根据本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·巴特，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：
国别省市：