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本发明提供了一种GaN边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底、有源区、N侧波导层、P侧波导层、N型包覆层和P型包覆层。GaN衬底限定了晶体生长面和滑移面。N侧和P侧波导层包含GaInN/GaN或GaInN/GaInN超晶格（SL）波导层。N...
该专利属于康宁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过康宁股份有限公司授权不得商用。

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