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一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法技术
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文档序号:9061908
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本发明公开了一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法,有源环形谐振腔为:脊型波导或条形波导构成的任意闭合环路,有源环形谐振腔上制作有P型电极和N型电极,有源环形谐振腔内的激射光通过垂直耦合器耦合进条形直波导,条形直波导输出激射光。用金...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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