大气等离子体成形电极加工碳化硅密封环类零件的方法技术

技术编号:9061428 阅读:238 留言:0更新日期:2013-08-22 00:35
大气等离子体成形电极加工碳化硅密封环类零件的方法,它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一:将等离子体成形电极的上端面绝缘连接在工作轴上;步骤二:将待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上;步骤三:使等离子体成形电极靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面;步骤四:预热射频电源和混合等离子体气源;步骤五:通入混合气体,启动射频电源;步骤六:用上述产生的大气等离子体对零件表面进行加工;步骤七、取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明专利技术能对密封环类零件表面进行加工,加工效率高,精度高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
大气等离子体成形电极加工碳化硅密封环类零件的方法,其特征在于包括如下步骤:步骤一:将等离子体成形电极(1)的上端面绝缘连接在龙门加工机床(2)的竖直运动工作轴(2?1)上,使等离子体成形电极(1)与射频电源(3)的输出端连接作为大气等离子体放电的阳极;步骤二:将待加工碳化硅密封环类零件(4)装卡在地电极(2?3)上,地电极固定在龙门加工机床(2)的工作平台(2?2)上;将地电极(2?3)接地作为大气等离子体放电的阴极;将龙门加工机床(2)设置在密闭工作舱(5)中,使密闭工作舱(5)内的等离子体成形电极(1)的导气孔通过气管(5?1)与混合等离子体气源(6)导气连通;步骤三:等离子体成形电极(1)下端面的成形工作表面具有与待加工碳化硅密封环类零件(4)期望的微结构面型互补的微结构,对零件直接进行成形加工;等离子体成形电极(1)部分要求在径向覆盖住待加工碳化硅密封环类零件(4),等离子体成形电极(1)的下端所有转折部分倒圆角过渡,避免尖端放电,保证等离子体的放电均匀;使等离子体成形电极(1)靠近待加工碳化硅密封环类零件(4)的待加工表面,并使它们之间保持一定的放电间隙,放电间隙范围为1mm?5mm;步骤四:预热射频电源(3),预热时间为5?10分钟;然后打开混合等离子体气源(6),混合等离子体气源(6)包含反应气体、大气等离子体激发气体和辅助气体,使大气等离子体激发气体的流量为1升/分钟~40升/分钟,反应气体与大气等离子体激发气体的流量比为1:10~1:1000;辅助气体与反应气体的流量比为1:10~1:1;步骤五:当等离子体成形电极(1)与待加工碳化硅密封环类零件(4)的待加工表面之间的区域内充满大气等离子体激发气体、反应气体与辅助气体的混合气体后,启动射频电源(3),逐步增加射频电源(3)的功率,使功率达到100W?400W,同时控制射频电源(3)的反射功率为零,在射频电源(3)工作的过程中持续稳定的通入混合气体,使等离子体成形电极(1)与待加工碳化硅密封环类零件(4)的待加工表面之间的放电区域产生稳定的等离子体放电;步骤六:根据去除量的要求,控制等离子体成形电极(1)的运动轨迹和在零件表面的驻留时间,用上述产生的大气等离子体对零件表面进行加工;步骤七:待加工完成后,关闭射频电源(3)的电源,关闭混合等离子体气源(6),取出待加工碳化硅密封环类零件(4),对加工去除深度进行测量,以判断是否达到加工要求。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王波辛强姚英学金会良丁飞李娜金江李铎
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:

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