多层陶瓷电子部件及其制造方法技术

提供了一种多层陶瓷电子部件及其制造方法。多层陶瓷电子部件包括：具有外部电极的陶瓷本体；以及在陶瓷本体内被设置在陶瓷层之间的内部电极，陶瓷本体的宽度小于陶瓷本体的长度，并且被层压的内部电极的数量是250个或更多个，其中，当陶瓷层的厚度用Td表示并且内部电极的厚度用Te表示时，0.5≤Te/Td≤2.0，并且当陶瓷本体的中心部分的厚度用Tm表示且陶瓷本体的每个侧部的厚度用Ta表示时，0.9≤Ta/Tm≤0.97，并且因此，可以获得具有低等效串联电感（ESL）的多层陶瓷电子部件。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子部件及其制造方法相关申请的交叉引用这个申请要求于2012年2月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0016309号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用的方式结合于此。
本专利技术涉及多层陶瓷电子部件及其制造方法，以及更特别地，涉及具有低等效串联电感（ESL）的多层陶瓷电子部件。
技术介绍
近来，因为对于电子产品而言趋势已经是将会更小并且具有更高的电容量，被用在电子产品中的电子部件因此已经被要求是更小的并且具有更高的电容量。因此，对于多层陶瓷电子部件的需求正在增加。在多层陶瓷电容器的情况下，增大的等效串联电感（下文中称为“ESL”）可导致在电子产品性能的劣化，并且因为电子部件变得更小和更高电容量，增大的ESL在劣化电子部件性能方面的影响已经增大。通常所说的“低电感基片式电容器（LICC）”减小了外部端子之间的距离，并因减小了电流流动路径，从而减小了电容的电感。但是，当内部电极的引出部分被压缩时，为了减小在电容部件与内部电极的引出部分之间在电极密度上的差异，内部电极可能断裂或者弯曲，并且因此，其中的电流流动路径可被显著地增大，导致增大的ESI。[相关的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子部件，包括：陶瓷本体，具有外部电极；以及内部电极，在所述陶瓷本体内设置在陶瓷层之间，当所述外部电极被连接和延伸的方向被表示为宽度方向；所述内部电极被层压的方向被表示为厚度方向；并且垂直于所述宽度方向和所述厚度方向的方向被表示为长度方向时，所述陶瓷本体的宽度小于所述陶瓷本体的长度，被层压的所述内部电极的数量是250个或更多个，当所述陶瓷层的厚度用Td表示并且所述内部电极的厚度用Te表示时，0.5≤Te/Td≤2.0，以及在所述陶瓷本体的沿宽度?厚度方向的横截面中，当所述陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分的厚度用Tm表示并且所述陶瓷本体的每个侧部的厚度用Ta表示时，0.9≤Ta/Tm≤...

【技术特征摘要】
2012.02.17 KR 10-2012-00163091.一种多层陶瓷电子部件，包括：陶瓷本体，具有外部电极；以及内部电极，在所述陶瓷本体内设置在陶瓷层之间，并包括：电容形成部分，通过重叠所述内部电极和相邻的内部电极而形成电容；以及引出部分，从所述电容形成部分的一部分延伸并且被引出到所述陶瓷本体的外部，当所述外部电极被连接和延伸的方向被表示为宽度方向；所述内部电极被层压的方向被表示为厚度方向；并且垂直于所述宽度方向和所述厚度方向的方向被表示为长度方向时，所述陶瓷本体的宽度小于所述陶瓷本体的长度，被层压的所述内部电极的数量是250个或更多个，当所述陶瓷层的厚度用Td表示并且所述内部电极的厚度用Te表示时，0.5≤Te/Td≤2.0，以及在所述陶瓷本体的沿宽度-厚度方向的横截面中，当所述陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分的厚度用Tm表示并且所述陶瓷本体的每个侧部的厚度用Ta表示时，0.9≤Ta/Tm≤0.97,其中，所述引出部分每单位体积的密度大于所述电容形成部分每单位体积的密度。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷本体的沿所述宽度方向的所述中心部分是在所述陶瓷本体的沿所述宽度方向的中心的两侧上在所述陶瓷本体的宽度的15％内的区段内。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷本体的所述侧部是从所述陶瓷本体的沿所述宽度方向的每侧在所述陶瓷本体的宽度的10％内的区段。4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件，其中，所述外部电极延伸到所述陶瓷本体的沿所述宽度方向彼此相对的侧表面上、以及延...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海硕，李炳华，朴珉哲，蔡恩赫，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：