等离子体单元以及制造等离子体单元的方法技术

本发明专利技术涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明专利技术的实施例，单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻近开口部署的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及一种等离子体单元(cell)以及一种制作等离子体单元的方法。
技术介绍
等离子体显示面板(PDP)在大的电视显示器中是常见的。等离子体显示器包括包含带电的电离气体的小单元。等离子体显示器是明亮的(针对模块为1000勒克司或更高)，具有宽的色域，并且可以以相当大的大小(斜对地高达150英寸(3.Sm))被生产。显示面板本身为约6cm (2.5英寸)厚，从而一般允许器件的(包括电子装置的)总厚度小于IOcm (4英寸)。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，单元包括半导体材料、被部署(dispose)在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里(line)的介电层、使开口闭合的覆盖层(cap layer)、邻近开口被部署的第一电极以及邻近开口被部署的第二电极。根据本专利技术的实施例，面板包括半导体材料以及多个单元，其中每个单元都包括被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、密封开口的覆盖层、邻近开口被部署的第一电极以及邻近开口被部署的第二电极。根据本专利技术的实施例，用于制造半导体器件的方法包括:在半导体材料中形成开口，利用介电层给开口加衬里、利用覆盖层使开口闭合、邻近开口形成第一电极以及邻近开口形成第二电极。 附图说明为了更完整地理解本专利技术以及其优点，现在参照连同附图被采取的下面的描述，在所述附图中: 图1示出了等离子体显示器组成； 图2a示出了单元的实施例的横截面视 图2b示出了单元的隔离的实施例； 图2c示出了单元的隔离的另一实施例； 图2d示出了单元的隔离的又一实施例； 图2e示出了单元的实施例的流程 图2f示出了单元的实施例的俯视 图3a示出了单元的实施例的横截面视 图3b示出了单元的实施例的流程 图4a示出了单元的实施例的横截面视 图4b示出了单元的实施例的流程 图5a示出了单元的实施例的横截面视图；图5b示出了单元的实施例的流程图；并且 图6a至6c示出了单元的操作方法。具体实施例方式目前优选的实施例的制作和使用在下面被详细讨论。然而，应该意识到的是，本专利技术提供了可以在各种各样的特定上下文中被具体表现的许多可应用的专利技术概念。所讨论的特定实施例仅仅是说明制作和使用本专利技术的特定方式，并且并不限制本专利技术的范围。本专利技术将关于在特定上下文中的实施例被描述，即关于半导体等离子体单元被描述。然而，本专利技术也可以适用于其它类型的等离子体单元。面板通常在两个玻璃面板之间的隔间化的空间(compartmentalized space)中具有数百万个微小单元。这些隔间或单元装有惰性气体和极小量水银的混合物。正如在荧光灯中那样，当水银被蒸发并且电压被施加在单元上时，这些单元中的气体形成等离子体。随着电(电子)的流动，当电子移动穿过等离子体时，电子中的一些撞击水银颗粒，从而瞬间增加分子的能量水平，直到过剩能量流出。水银将能量作为紫外(UV)光子发射。UV光子接着撞击被部署在单元壁的内部上的磷光体。当UV光子撞击磷光体分子时，该UV光子瞬间提高了磷光体分子中的外层轨道电子的能量水平，从而把电子从稳定状态移到不稳定状态。电子接着以比UV光更低的能量水平将过剩能量作为光子发射。较低能量的光子主要在红外范围中，但是约40%在可见光范围内。因而，输入能量部分地作为可见光被发射。根据所使用的磷光体，不同颜色的可见光可以被发射。等离子体显示器中的每个像素都由包括可见光的原色的三个单元组成。使到单元的信号的电压变化因而允许了不同的被察知到的颜色。等离子体显示面板是被定位在两个玻璃面板之间的成千上万个小的发光单元的阵列。每个单元都利用诸如氦(He)、氖(Ne)、氙(Xe)、氩(Ar)之类的惰性气体、其它惰性气体或其组合来填充。当单元通过电极被供电时，这些单元是发光的。图1示出了透视的等离子体显示器组成100。等离子体显示器组成100示出了后玻璃板110和前玻璃板120。两个介电层130和140被部署在前玻璃板120与后玻璃板110之间。各个单独的等离子体单元150被布置在两个介电层130、140之间。例如，三个等离子体单元151-153形成像素160。在单元150前面和后面，长电极170、180可以是导电材料的条，所述导电材料的条也位于玻璃板110、120之间。地址电极180可以沿着后玻璃板110坐落在单元150后面，并且可以是不透明的。透明的显示电极170沿着前玻璃板120被安装在单元150前面。如在图1中可以看出的那样，电极170、180由绝缘保护层130、140来覆盖。控制电路给在单元处使路径交叉的电极170、180充电，从而在前后之间创建了电压差。单元的气体中的原子中的一些接着失去电子并且变为电离的，这创建了原子的导电等离子体、自由电子和离子。这样的发光等离子体被称为辉光放电。一旦辉光放电已经在单元150中被启动，通过在所有的水平和垂直电极170、180之间施加低电平电压(即使在电离电压被去除之后)，该辉光放电就可以被维持。为了擦除单元150，所有电压从一对电极1 70、180中被去除。在彩色面板中，每个单元150的背部被涂有磷光体材料。由等离子体所发射的紫外光子激发了所述磷光体材料，所述磷光体材料发射具有由这些材料所确定的颜色的可见光。每个像素160由三个分离的子像素单元151-153组成，每个子像素单元都包括不同颜色的磷光体材料。例如，一个子像素单元151具有红光磷光体材料，一个子像素单元152具有绿光磷光体材料，并且一个子像素单元153具有蓝光磷光体材料。这些颜色混杂在一起，以创建像素的整体颜色。通过使流过不同单元的电流脉冲每秒变化数千次，等离子体面板使用脉冲宽度调制(PWM)来控制亮度，控制系统可以增加或减少每个子像素单元颜色的强度，以创建红色、绿色和蓝色的数十亿个不同组合。以这种方式，控制系统可以产生大部分可见颜色。在一个实施例中，等离子体单元以半导体制造工艺被制造。特别地，该单元以CMOS制造工艺被制造。在一个实施例中，等离子体单元可以具有正面和/或背面光发射。可替换地，该单元可以被布置在半导体芯片的边缘处，并且可以向侧面发射光。在一个实施例中，通过在放在沟槽上面的覆盖层中创建孔、从沟槽中去除牺牲材料以及通过使用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)工艺来在稀有气体气氛下使覆盖层中的孔闭合，等离子体单元被形成。 图2至6示出了单元的数个实施例的横截面视图。这些单元位于或被形成在衬底中或在外延层中。衬底或外延层可以是诸如硅之类的半导体材料或诸如SiGe、GaAs、InP或SiC之类的化合物半导体材料。衬底可以包括体硅或绝缘体上硅(SOI)。开口或腔被部署在衬底中。开口具有侧壁和底面。侧壁可以基本上与衬底的顶面正交，而底面可以基本上平行于顶面。可替换地，开口包括弯曲的或以其他方式成形的侧壁，并且没有底面。隔离或介电材料或阻挡层可以封装开口。阻挡层可以是单个层或者两个或更多层的堆叠。隔离层可以包括在那里隔离层覆盖了开口的底面和侧壁的第一材料，并且可以包括在那里隔离层是开口的第二材料。层材料可以是诸如氮化硅之类的氮化物、诸如氧化硅之类的氧化物、诸如碳化硅之类的碳化物或其组合。可替换地，隔离或介电材料可以是诸如氧化铝之类的金属氧化物。层堆叠可以包括不同材料的层。隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单元，其包括：半导体材料；开口，所述开口被部署在半导体材料中；介电层，所述介电层给所述开口的表面加衬里；覆盖层，所述覆盖层使所述开口闭合；第一电极，所述第一电极邻近所述开口地被部署；以及第二电极，所述第二电极邻近所述开口地被部署。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D梅因霍尔德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：