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等离子体单元以及制造等离子体单元的方法技术
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文档序号:9034847
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本发明涉及等离子体单元和制造等离子体单元的方法。等离子体单元以及用于制作等离子体单元的方法被公开。根据本发明的实施例,单元包括半导体材料、被部署在半导体材料中的开口、给开口的表面加衬里的介电层、使开口闭合的覆盖层、邻近开口部署的第一电极和邻...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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