本发明专利技术提供一种荧光体及发光装置，所述荧光体具有高温特性和长期可靠性且为高亮度，所述发光装置是使用了该荧光体的白色发光装置。本发明专利技术的荧光体具有：峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体（A）；峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（B）；峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体（C）。荧光体（A）的配比为20质量%以上至35质量%以下，荧光体（B）的配比为50质量%以上至70质量%以下，荧光体（C）的配比为10质量%以上至20质量%以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于LED (Light Emitting Diode,发光二极管)的突光体和使用LED的发光装置。
技术介绍
作为用于白色发光装置的荧光体，有β型赛隆和红色发光荧光体的组合(参见专利文献1)，还有组合具有特定色坐标的红色发光荧光体和绿色发光荧光体而得到的荧光体(参见专利文献2)。专利文献专利文 献1:日本特开2007-180483号公报专利文献2:日本特开2008-166825号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供向以往的荧光体中添加氧氮化物荧光体而得到的同时具备高亮度和高演色性的荧光体，还提供使用该荧光体的白色发光装置。本专利技术是一种突光体，其具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、突光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体(C)，荧光体(A)的配比为20质量％以上至35质量％以下，荧光体(B)的配比为50质量％以上至70质量％以下，荧光体(C)的配比为10质量％以上至20质量％以下。当将荧光体(A)和(B)的配比设为a和b时，优选荧光体的配比具有1.5彡b/a ≤ 3.5的关系。当将荧光体(A)、(B)和(C)的配比设为a、b和c时，优选荧光体的配比具有4.0 <(a+b) /c ≤8.2 的关系。优选荧光体(B)为β型赛隆，荧光体(C)为SCASN。从本申请的其他观点看，本专利技术是一种发光装置，其具有上述荧光体和在发光面上搭载有该荧光体的LED。根据本专利技术，能够提供具有高温特性和长期可靠性且为高亮度的荧光体以及使用该荧光体的白色发光装置。具体实施例方式本专利技术是一种突光体，其具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、突光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体(C)。通过混合上述三种荧光体，能够得到具有高温特性和长期可靠性且为高亮度的荧光体。荧光体(A)的配比为20质量％以上至35质量％以下，荧光体(B)的配比为50质量％以上至70质量％以下,突光体(C)的配比为10质量％以上至20质量％以下。本专利技术人发现，如果荧光体(A)的配比过少，则存在演色性变低的趋势；如果荧光体(A)的配比过多，则存在难以得到高温特性和长期可靠性的趋势，因此优选上述范围。如果荧光体(B)的配比过少，则存在难以得到高温特性和长期可靠性的趋势；如果荧光体(B)的配比过多，则存在无法获得高演色性的趋势。如果荧光体(C)的配比过少，则存在无法显示高演色性的趋势，甚至存在连白光本身也无法得到的趋势；如果荧光体(C)的配比过多，则存在亮度低，并且无法得到白光的趋势。本专利技术中的荧光体(A)是峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的绿色发光硅酸盐荧光体。具体而言，有Intematix公司制造的G3161、EG2762、EG3261、EG3560、Merck 公司制造的 SGA-530、SGA-535。·荧光体的荧光强度是将标准试样(YAG，更具体为三菱化学株式会社制造的P46Y3)的峰值高度作为100%的相对值，并以％来表示。使用株式会社日立High-Tech制造的型号为F-7000的分光光度计，作为荧光强度的测定仪，测定方法如下。〈测定方法〉I)试样配置:在石英比色皿中填充测定试样或标准试样，在测定仪中，交替摆放试样，进行测定。以35%左右的相对填充密度充填至比色皿高度的3/4左右。2)测定:以455nm的光激发,读取500nm至700nm的最大峰值的高度。测定5次，去除最大值、最小值，取剩余的3个值的平均值。本专利技术的荧光体(B)是峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的绿色发光氧氮化物荧光体。具体而言，有β型赛隆，更具体而言，有电气化学工业株式会社的AL0NBRIGHT (日本注册商标)。本专利技术中的荧光体(C)是峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体。具体而言，有缩写成SCASN、并被称为- ) (SCASN)的红色荧光体，更具体而言，有三菱化学株式会社的BR-102D (峰值波长为620nm)。可以在该突光体(C)中，以不超过突光体(C)的添加量的范围混合用于调节峰值波长的如下物质=Intematix公司的R6436 (峰值波长为630nm)或R6535 (峰值波长为640nm);三菱化学株式会社的BR-102C、BR-102F (峰值波长为630nm)及BR-101A (峰值波长为650nm)。关于荧光体(A)和荧光体(B)的配比，为了维持高可靠性，而优选使荧光体(A)的配比低于荧光体(B)的配比，当将荧光体(A)和荧光体(B)的配比分别设为a、b时，优选具有1.5彡b/a彡3.5的关系。由于荧光体(C)与荧光体(A)、(B)相比可见度低、亮度差，所以优选荧光体(C)的配比低，但是如果过低，则会使演色性也降低，甚至导致LED不显示白光，因此优选荧光体(C)的配比在3.9 <(a+b) /c彡8.0的范围。只要能够均匀地进行混合或者混合至所期望的混合程度即可，可以适当地选择出荧光体(A)、(B)以及(C)的混合方法。对于该混合方法，前提是不混入杂物，或者不使荧光体的形状、粒度发生明显变化。从本申请的其他观点看，本专利技术是一种发光装置，其具有上述荧光体和在发光面上搭载有该荧光体的LED。搭载在LED的发光面上的荧光体被密封部件进行密封。作为密封部件，有树脂和玻璃，作为树脂，有有机硅树脂。作为LED，优选根据最终发出的光的颜色，对红色发光LED、蓝色发光LED、发出其他颜色光的LED进行适当选择，在蓝色发光LED的情况下，优选由氮化镓系半导体形成且峰值波长为440nm以上至460nm以下的LED，更优选峰值波长为445nm以上至455nm以下。LED的发光部的大小优选为0.5mm方形以上，对于LED芯片的大小，只要具有上述发光部的面积即可，可以适当选择，并且，LED芯片的大小优选为1.0mmX 0.5mm,更优选为 1.2mmX 0.6mm。实施例使用表及比较例对本专利技术的实施例进行详细说明。表I权利要求1.一种突光体，其特征在于，具有:峰值波长为525nm以上至535nm以下、突光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体(A);峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体(B);峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体(C)，其中，荧光体(A)的配比为20质量％以上至35质量％以下；荧光体(B)的配比为50质量％以上至70质量％以下；荧光体(C)的配比为10质量％以上至20质量％以下。2.如权利要求1所述的荧光体，其特征在于，当将荧光体(A)和(B)的配比设为a和b时，荧光体的配比具有1.5彡b/a彡3.5的关系。3.如权利要求1或2所述的荧光体，其特征在于，当将荧光体(A)、(B)和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种荧光体，其特征在于，具有：峰值波长为525nm以上至535nm以下、荧光强度为250%以上至270%以下的硅酸盐荧光体（A）；峰值波长为540nm以上至545nm以下、荧光强度为260%以上至280%以下的氧氮化物荧光体（B）；峰值波长为615nm以上至625nm以下的氮化物荧光体（C），其中，荧光体（A）的配比为20质量%以上至35质量%以下；荧光体（B）的配比为50质量%以上至70质量%以下；荧光体（C）的配比为10质量%以上至20质量%以下。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林庆太，中原史博，市川恒希，水谷晋，伏井康人，
申请(专利权)人：电气化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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