本发明专利技术公开一种荧光体粒子组以及将该荧光体粒子组用于波长变换部的发光装置，该荧光体粒子组是由一般式EuaSibAlcOdNe所实质地表达的β型SiAlON、即2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的粒子组，由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(1)构成60％以上，式中的数满足0.005≤a≤0.4，b+c＝12，d+e＝16。从而能够得到使用β型SiAlON的、高效率且稳定的发光装置以及用于其的荧光体粒子组。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及作为发光装置用较为合适的荧光体粒子的粒子组(荧光体粒子组)以及将其用于波长变换部的发光装置。
技术介绍
将半导体发光元件和荧光体组合后的发光装置，低消耗电力、小型、高亮度、广范围的色再现性，并且作为能够期待高色重现性的下一代的发光装置而被注目，并正在积极地被究/开发着。从发光元件发出的一次光，通常使用从长波长的紫外线到蓝色的范围，即380 480n m的光。并且，提案了适合于该用途的使用各种荧光体的波长变换部。现在，作为这种的白色的发光装置，蓝色发光的发光元件(峰值波长:460nm左右)以及由该蓝色光所激励而显示出黄色发光的3价的由铈所活化(活化)的(Y，G d)3(Al，Ga) 5012荧光体或2价的由铕所活化的2 (Sr, Ba, Ca) 0.SiO2荧光体的组合为主而被使用。然而，在这些的发光装置中，色再现性(N T S C比)是70%左右，近年来，在小型L C D中寻求色再现性更加良好的器件。此外，最近对于这种的发光装置，不仅变换效率(亮度)，而且也进一步提高了所输入的能量，并且进行着使之更加明亮的尝试。在提高了输入能量的情况下，需要包含波长变换部的发光装置全体的有效的散热。为此，发光装置全体的构造、材质等的开发也在进展，现状是动作时的发光元件以及波长变换部的温度上升难以避免。然而，特别是在由3价的铈所活化的(Y，G d)3(Al，G a) 5012荧光体中，在将25°C下的亮度(亮度)设为100%的情况下，100°C下的亮度降低到了 85%左右，因此而具有不能够较高地设定输入能量技术课题。因此，对于这种的发光装置，所使用的荧光体的温度特性的改善是当务之急。对于这些技术课题，已知能够通过使用由EuaSibAlcOdNe所实质地表示的β型SiAlON即2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体，而得到色再现性(N TS C比)以及温度特性的良好的发光装置。然而，作为β型SiAlON的2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体，基本上是柱状结晶体，关于荧光体的粒子组(荧光体粒子组)，容易生成长径与短径的比值超过5的物质。在使用长径与短径的比值超过5的粒子较多地存在的荧光体粒子组的情况下，在将其荧光体粒子组分散于树脂中时，发生被推测为形状因子的凝集等现象，具有不能得到匀质的分布，不能够得到良好的特性(亮度)的技术课题。 因此，在控制了形状后的作为由EuaSibAleOdNe所实质性地表达的β型SiAlON的2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子，以及使用此的高效率的发光装置的开发是当务之急。例如，在特开2005-255895号公报(专利文献I)中，关于β型SiAlON，记载了具有纵横(纵横)比(以短轴的长度除粒子的长轴的长度后的值)的平均值为1.5以上20以下的值。然而，专利文献I的实施例中，没有记载各实施例的荧光体粒子的纵横比，并且关于纵横比和特性，也没有任何言及。这里，长轴相当于本申请的长径，短轴相当于本申请短径。并且专利文献I中，图2是表示柱状形状(照片)的图。专利文献I特开2005-255895号公报
技术实现思路
本专利技术为解决上述课题而提出，其目的在于提供一种使用β型SiAlON的、高效率稳定的发光装置以及用于其的荧光体粒子组。 本专利技术者们，为解决上述课题而进行锐意研究以及开发结果，发现为通过使用控制了结晶形状的β型SiAlON的粒子组，特性(亮度)良好的发光装置。也即，本专利技术如下。本专利技术的荧光体粒子组特征在于是由一般式EuaSibAlcOdN e所实质地表达的β型SiAlON、即2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的粒子组，由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(I)构成60%以上，式中的数满足0.005 < a < 0.4，b+c = 12, d+e = 16。优选为，本专利技术的荧光体粒子组由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(I)构成80%以上优选为，专利技术的荧光体粒子组中，上述式中0.01 < 0.2。另外，优选为，本专利技术的荧光体粒子组中，中值径是6 20m的范围内。本专利技术还提供一种发光装置，其特征在于，备有:发光元件(12)，其为发出峰值波长为430 480nm的一次光的氮化镓系半导体；波长变换部(13)，其对上述一次光的一部进行吸收，并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光，所述波长变换部(13)包含荧光体粒子组，所述荧光体粒子组是由一般式EuaSibAleOdNe实质地表达的β型SiAlON、即2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的粒子组，由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(I)构成60%以上，式中的数满足0.005 ^ a ^ 0.4, b+c = 12，d+e=16。优选为，本专利技术的发光装置中，上述荧光体粒子组由长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下的荧光体粒子(I)构成80%以上。优选为，本专利技术的发光装置中，上述荧光体粒子组中，上述式中，0.01 < a < 0.2。优选为，本专利技术的发光装置中，上述荧光体粒子组的中值径处于6 20 μ m的范围内。根据本专利技术，能够提供一种对来自发光元件的一次光高效率地进行吸收,并能够得到高效率且优良的色再现性(N T S C比)以及良好的温度特性的白色光的发光装置，以及适合使用于此的荧光体粒子组。附图说明图1是示意性地表示构成本专利技术的荧光体粒子组的荧光体粒子I的图。图2是示意性地表示本专利技术的优选的一例的发光装置11的剖面图。图中:1-荧光体粒子，11-发光装置，12-发光元件，13-波长变换部，14-本专利技术的荧光体粒子组以外的荧光体粒子具体实施例方式本专利技术的荧光体粒子组，作为由下述一般式所实质地表达的β型SiA10N(寸^ r口 >)的2价的铕活化(付活)氧氮化物绿色系发光荧光体的粒子所构成。一般式=EuaSibAlcOdNe上述式中，a的值是满足0.005彡a彡0.4的数，b以及c的值是满足b+c = 12的数，d以及e的值是满足d+e = 16的数。上述式中，若a的值不足0.005，则存在不能够得到足够的亮度问题，并且若a的值超过0.4，则存在因浓度消光(消光)等亮度大幅度降低的问题。另外，在Eu的添加量不足0.01的情况下，有可能包含在荧光体粒子组中不包含Eu的荧光体粒子，并且，在Eu的添加量超过0.2的情况下，有可能产生Eu的偏析而在荧光体粒子组中含有较多地包含Eu的荧光体粒子，作为粉体特性的稳定性，从维持母体的均一性观点出发，上述式中的a的值，也可以是满足0.01 < a < 0.2的数。作为由上述式所实质地表达的β型SiAlON (寸4 7 口 > )的2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体，具体来说，可以列举出Eutltl5Si11.S0Al0.50 00.05Ni5.95>Eu0.1oSi 11.00-^1 1.00^0.10^15.90、Ell0 30^ I 9.8(|A I 2.20^0.30^15.70、EUg.15S 10.0(Λ ^2.00^0.20^15.80 'EU0.0lS 11.60Α I 0.40^0.01^15.99 > Ell0.005^ 11.70本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种荧光体粒子组，其是2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的荧光体粒子组，每一所述荧光体粒子是由一般式EuaSibAlcOdNe所实质地表达的β型SiAlO?N，其中，0.005≤a≤0.4，b+c＝12，d+e＝16，且其中长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下。
【技术特征摘要】
2007.07.09 JP 2007-1794641.一种荧光体粒子组，其是2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的荧光体粒子组，每一所述荧光体粒子是由一般式EuaSibAlcOd凡所实质地表达的β型SiAlO N，其中，0.005 ≤ a ≤ 0.4，b+c = 12，d+e = 16，且其中长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下。2.根据权利要求1所述的荧光体粒子组，其特征在于， 所述荧光体粒子组的中值径在6 20 μπι的范围内。3.一种发光装置，包括:发光元件，其为发出峰值波长为430 480n m的一次光的氮化镓系半导体；以及波长变换部，其对上述一次光的一部进行吸收，以发出具有比所述一次光的波长更长的波长的二次光，所述波长变换部包含2价的铕活化氧氮化物绿色系发光荧光体粒子的荧光体粒子组，每一所述荧光体粒子是由一般式EuaSibAlcOd凡实质地表达的β型SiAlO N，其中，0.005 ≤ a ≤ 0.4，b+c = 12，d+e = 16，且其中长径与短径的比值超过1.0而为3.0以下。4.根据权利要求3所述的发光 装置，其特征在于， 所述荧光体粒子组的中值径在6 20 μπι的范围内。5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于， 所述波长变换部还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：花本哲也，增田昌嗣，寺岛贤二，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：
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