【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光刻掩模版制作领域，尤其涉及一种测量装置。
技术介绍
在半导体的光刻领域中，需要使用一种专用掩模板。请参阅图1，该专用掩模板包括掩模板本体11和两块导向块12，所述两块导向块12分别设置于所述掩模板的同侧的两端，每个所述导向块12块分别沿所述掩模板本体11的纵向和横向凸出，所述两块导向块12起到导向作用，使得该特制研磨板与其光刻机相匹配安装，所述掩模板本体11的表面上设有两个掩模板测量部13,两个掩模板测量部13与所述两块导向块12 对应。两块导向块12的设置位置对于该专用研磨板来说是非常关键的。如果两块导向块12的位置设置不合理，该专用掩模板将无法安装至光刻机中。因此，制造该专用掩模板时，需要测量导向块12上沿掩模板本体11的横向凸出的侧面至对应的掩模板测量部13的距离yl、y2,然后通过公式1000* (yl-y2)/100计算出该专用掩模板上导向块12的倾斜度。如果测量出来的倾斜度超出允许范围，就意味着该专用掩模板不能在该光刻机中安装并运行。现有的测量方法是:直接通过显微镜测量导向块12上沿掩模板本体11的横向凸出的侧面至对应的掩模板测量部13的...
【技术保护点】
一种测量装置，其特征在于，包括底座、测量辅助板、两块间隔设置的第一限位块和一块第二限位块，所述测量辅助板铺设于所述底座上，所述测量辅助板的一个表面上设有两个辅助测量部，所述辅助测量部与所述第一限位块一一对应，所述第二限位块的工作面与其中一块第一限位块的工作面垂直相交。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜巍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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