【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种带有自动清洗装置的化学机械抛光研磨液供应系统。
技术介绍
在半导体工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化(Chemical MechanicalPlanarization, CMP)。所谓化学机械抛光，它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料，并使其获得平坦表面的工艺过程。具体来说，这种抛光方法通常是将芯片压于一高速旋转的抛光垫上，并在包含有化学抛光剂和研磨颗粒的抛光浆料的作用下通过抛光垫与晶片的相互摩擦达到平坦化的目的。由此看来，研磨液是化学机械抛光中一项关键的消耗品，在芯片化学机械抛光中起着重要的作用。当在化学机械抛光工艺中需要研磨液供应时，研磨液要经过原液桶装卸模块和研磨液供应模块，最终才能到达抛光的机台上。如图1所示，原液桶6A中的研磨液经循环泵3A输送至预混合槽7A中，预混合后通过管道盛放于供应箱IA中，当化学机械抛光时，打开与供应箱连接的循环泵3A和阀门4A，研磨液则可以用于晶圆的抛光。当化学机械...
【技术保护点】
一种带有自动清洗装置的化学机械抛光研磨液供应系统，其特征在于，所述研磨液供应系统至少包括：至少一个供应箱，每个供应箱包括至少一个入液口和出液口；设于所述供应箱外壁且与外壁接触的兆声波发生器；用于提供供应箱清洗液的清洗液供应系统，与所述供应箱入液口相连接；用于抽取所述供应箱中清洗液的循环泵，与所述供应箱出液口相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：熊世伟，陈枫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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